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本发明公开一种磁性存储器装置及其制作方法，该磁性存储器装置包含第一介电层，设于基底上、第一介层插塞和第二介层插塞，设于第一介电层中、第一柱状存储器堆叠，设于第一介层插塞上、第二柱状存储器堆叠，设于第二介层插塞上，以及绝缘盖层，共形的设置在第...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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