磁阻效应元件制造技术

本发明专利技术提供一种能够实现较高的MR比的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具有层叠体，该层叠体中按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，所述基底层由氮化物构成，所述隧道势垒层由非磁性绝缘材料构成，所述隧道势垒层的晶格常数和所述基底层可采用的结晶结构的晶格常数的晶格非匹配度为5％以内。

【技术实现步骤摘要】
磁阻效应元件(本申请是申请日为2017年9月28日、申请号为201710901088.8、专利技术名称为“磁阻效应元件”的专利申请的分案申请。)
本专利技术涉及磁阻效应元件。
技术介绍
已知由铁磁性层和非磁性层的多层膜构成的巨大磁阻(GMR)元件，及在非磁性层使用了绝缘层(隧道势垒层，势垒层)的隧道磁阻(TMR)元件。一般而言，TMR元件的元件电阻比GMR元件的元件电阻高，但TMR元件的磁阻(MR)比比GMR元件的MR比大。因此，作为磁传感器、高频零件、磁头及非易失性随机存取存储器(MRAM)用的元件，TMR元件备受关注。TMR元件能够根据电子的隧道传导的机制的不同而分类成两种。一种是，仅利用了铁磁性层间的波动函数的渗出效应(隧道效应)的TMR元件。另一种是，在产生隧道效应时利用了隧穿的非磁性绝缘层的特定轨道的传导的相干隧道(只有具有特定的波动函数的对称性的电子才进行隧穿)主导的TMR元件。已知，与仅利用了隧道效应的TMR元件相比，相干隧道主导的TMR元件得到较大的MR比。磁阻效应元件中，为了得到相干隧道效应，需要两个铁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁阻效应元件，其中，/n具有叠层体，所述叠层体中按顺序叠层有基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，/n所述基底层由含有选自Ti、Nb、V、Ta、Mo、Ga及Al中的任一种的氮化物构成，所述基底层是在透射电子显微镜图像以及电子衍射图像中不呈现结晶性的层，/n所述基底层的膜厚为1.0nm以上且20.0nm以下，/n所述隧道势垒层由非磁性绝缘材料构成，/n所述隧道势垒层的晶格常数和所述基底层可采用的结晶结构的晶格常数的晶格非匹配度为5％以内，/n所述晶格非匹配度由下式(1)定义，/n

【技术特征摘要】
20160929 JP 2016-1920071.一种磁阻效应元件，其中，
具有叠层体，所述叠层体中按顺序叠层有基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，
所述基底层由含有选自Ti、Nb、V、Ta、Mo、Ga及Al中的任一种的氮化物构成，所述基底层是在透射电子显微镜图像以及电子衍射图像中不呈现结晶性的层，
所述基底层的膜厚为1.0nm以上且20.0nm以下，
所述隧道势垒层由非磁性绝缘材料构成，
所述隧道势垒层的晶格常数和所述基底层可采用的结晶结构的晶格常数的晶格非匹配度为5％以内，
所述晶格非匹配度由下式(1)定义，



所述式(1)中，A为隧道势垒层的晶格常数，B为基底层可采用的结晶结构的晶格常数，
所述基底层可采用的结晶结构，是指将构成所述基底层的材料做成块时可采用的结晶结构。


2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，
所述隧道势垒层具有尖晶石结构或岩盐型结构。


3.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，
所述隧道势垒层具有选自空间群Fd-3m、Fm-3m及F-43m中的任一种的空间对称性。


4.根据权利要求1所述的磁阻效应元...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木智生，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP