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本发明提供一种能够实现较高的MR比的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具有层叠体，该层叠体中按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，所述基底层由氮化物构成，所述隧道势垒层由非磁性绝缘材料构成，所述隧道势垒层的晶格常数...
该专利属于TDK株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过TDK株式会社授权不得商用。

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