【技术实现步骤摘要】
一种铝掺锑化铟薄膜、磁阻传感元件及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体In1-xAlxSb薄膜的制造方法，以及配备上述方法制造的In1-xAlxSb薄膜的磁阻传感元件。
技术介绍
传感器技术是物联网应用中三项关键技术之一，未来智能手机、新能源汽车、无人机等智能控制产业的发展对传感器件提出很大的需要，传感器产业潜力巨大，年复合增长率高于40％。InSb薄膜磁阻传感器件是利用半导体材料磁阻效应进行工作的元件，在无磁场时，电流方向和电极方向垂直。加上磁场之后，由于半导体InSb材料中的霍尔效应，导致电流方向由原先的垂直于电极变成了具有一定的倾斜角度，增加了电流在器件中的路径，使电阻增加。材料的载流子迁移率越高，由霍尔效应产生的磁阻效应就越显著，因此选用载流子迁移率高的材料制得的磁阻器件在高灵敏度要求的场合具有非常大的优势。InSb半导体材料是目前已知载流子迁移率最高的半导体材料(μ＝7.8×104cm2/V·s)，而半导体Sb材料的电子迁移率为1350cm2/V·s左右，半导体GaAs材料的电子迁移率为8700cm2/V·...
【技术保护点】
1.一种铝掺杂锑化铟薄膜，其特征在于，该薄膜为In
【技术特征摘要】
1.一种铝掺杂锑化铟薄膜，其特征在于，该薄膜为In1-xAlxSb薄膜，其中x的取值范围为0.05≤x≤0.15。
2.一种如权利要求1所述的铝掺杂锑化铟薄膜的制造方法，其特征在于，步骤如下：
将基底加热到350～400℃，同时加热InSb、AlSb两个蒸发源，真空蒸镀形成In1-xAlxSb层，并在400℃下退火处理1～4小时；
所述的真空蒸镀过程中，真空度高于7×10-4帕，腔内温度在100℃以上，所述的InSb、AlSb蒸发源的纯度均大于99.9995％，且根据In1-xAlxSb中x的取值，按化学计量配比加过量Sb源5～15％以弥补Sb的损失。
3.根据权利要求2所述的铝掺杂锑化铟薄膜制造方法，其特征在于，所述的基底为氧化铝陶瓷、...
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