石墨烯量子霍尔器件制备方法以及石墨烯量子霍尔器件技术

本申请提供一种石墨烯量子霍尔器件制备方法以及石墨烯量子霍尔器件，在制备过程中不需要使用光刻或者电子束曝光，不需要接触光刻胶等有机大分子结构，避免了光刻胶残留等对石墨烯的污染，避免了此等污染造成的石墨烯量子霍尔器件迁移率降低、石墨烯量子霍尔器件电阻量子化不充分引起的阻值偏差等问题。从而，通过所述石墨烯量子霍尔器件制备方法，提高了所述石墨烯量子霍尔器件的性能，可用于国家电阻基标准系统和便携式电阻基标准系统。同时，通过所述石墨烯量子霍尔器件制备方法不存在与光刻胶相关的步骤，节省了旋涂光刻胶、去除光刻胶等相关步骤，减少了制作过程，简化了工艺，节约了制备成本，提高了制备效率。

【技术实现步骤摘要】
石墨烯量子霍尔器件制备方法以及石墨烯量子霍尔器件
本申请涉及半导体
，特别是涉及一种石墨烯量子霍尔器件制备方法以及石墨烯量子霍尔器件。
技术介绍
石墨烯是由碳原子构成的二维材料，由于其独特的结构、特有的载流子特征和能带特征，天然的形成二维电子气结构，可以在室温下实现量子霍尔效应，为量子霍尔器件和霍尔器件的应用提供了广阔的应用前景，尤其是计量领域，石墨烯量子霍尔器件可以在温度4K以上，磁场6T以下实现充分量子化，成为基于量子霍尔效应的国家量子电阻基准、便携式量子电阻自然基准、量子霍尔阵列传递标准、交流量子电阻基标准系统的新一代核心标准芯片，引起国外内科学界和计量领域的广泛研究，具有很好的科学和市场前景。石墨烯尤其是单层石墨烯，其二维结构既是其优势性能之原因，也是其弱势所在。单层石墨烯仅有0.34nm，二维结构使其比表面积巨大，极易吸附空气中的杂质等，且表面一旦粘附杂质无法去除尽，粘附的杂质会严重影响石墨烯的表面结构、电学性质，并会导致石墨烯的性质随时间不断变化。然而，传统的石墨烯量子霍尔芯片制备方法光刻过程中，残留在石墨烯表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨烯量子霍尔器件制备方法，其特征在于，包括：/n提供导热底座(10)；/n在所述导热底座(10)表面制备石墨烯膜层(20)；/n提供第一硅掩膜板(30)，将所述第一硅掩膜板(30)设置于所述石墨烯膜层(20)远离所述导热底座(10)的表面；/n根据所述第一硅掩膜板(30)，对所述石墨烯膜层(20)进行刻蚀，制备石墨烯霍尔棒结构(210)；/n将所述第一硅掩膜板(30)移除；/n提供第二硅掩膜板(40)，将所述第二硅掩膜板(40)设置于所述石墨烯霍尔棒结构(210)远离所述导热底座(10)的表面；/n根据所述第二硅掩膜板(40)，在所述石墨烯霍尔棒结构(210)远离所述导热底座(10)...

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯量子霍尔器件制备方法，其特征在于，包括：
提供导热底座(10)；
在所述导热底座(10)表面制备石墨烯膜层(20)；
提供第一硅掩膜板(30)，将所述第一硅掩膜板(30)设置于所述石墨烯膜层(20)远离所述导热底座(10)的表面；
根据所述第一硅掩膜板(30)，对所述石墨烯膜层(20)进行刻蚀，制备石墨烯霍尔棒结构(210)；
将所述第一硅掩膜板(30)移除；
提供第二硅掩膜板(40)，将所述第二硅掩膜板(40)设置于所述石墨烯霍尔棒结构(210)远离所述导热底座(10)的表面；
根据所述第二硅掩膜板(40)，在所述石墨烯霍尔棒结构(210)远离所述导热底座(10)的表面制备接触电极(50)；
将所述第二硅掩膜板(40)移除，制备获得石墨烯量子霍尔器件(100)。


2.如权利要求1所述的石墨烯量子霍尔器件制备方法，其特征在于，所述第一硅掩膜板(30)为图案化硅片结构。


3.如权利要求2所述的石墨烯量子霍尔器件制备方法，其特征在于，所述第一硅掩膜板(30)采用干法刻蚀方法制备。


4.如权利要求1所述的石墨烯量子霍尔器件制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雪深，李劲劲，陈建，王仕建，钟青，钟源，
申请(专利权)人：中国计量科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11