非易失霍尔传感器及其制造方法、测试方法技术

本发明专利技术公开了一种非易失霍尔传感器及其制造方法、测试方法，所述非易失霍尔传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括源区、漏区以及设置在所述源区和所述漏区之间的沟道区；设置在所述沟道区上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上的阻变材料层，所述阻变材料层的材料和所述第一绝缘层的材料不同；设置在所述阻变材料层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层的材料和所述阻变材料层的材料不同；设置在所述第二绝缘层上的栅极。本发明专利技术提供的非易失霍尔传感器，可以存储霍尔电压信号，不需要额外的电路检测、分析和存储霍尔电压信号。

【技术实现步骤摘要】
非易失霍尔传感器及其制造方法、测试方法
本专利技术涉及传感器
，具体涉及一种非易失霍尔传感器及其制造方法、测试方法。
技术介绍
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。1879年，霍尔在研究金属的导电机构时发现了霍尔效应。经过不断地研究发现，由于金属材料电子浓度高、绝缘体材料迁移率很低导致霍尔传感器的特性不高而被排除在外。半导体材料因为电阻率较大，载流子(电子和空穴)迁移率适中成为霍尔式传感器的首选。霍尔传感器能够采用标准的半导体工艺制作，具有成本低廉、集成度高、技术成熟以及功耗较低等优点，被广泛应用于地磁检测、移动通讯、导航系统以及GPS通讯等方面。目前，霍尔传感器工作时，磁场的感知和电压信号的存储是分离的。霍尔传感器感知出的磁场转化为霍尔电压信号后，需要额外的电路进行分析和存储电压信号，这不仅可能导致信号在传输过程中失真，也会增加霍尔传感器结构的复杂性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的是现有的霍尔传感器需要额外的电路对霍尔电压信号进行分析和存储的问题。本专利技术通过下述技术方案实现：...

【技术保护点】
1.一种非易失霍尔传感器，其特征在于，包括：/n半导体衬底，所述半导体衬底包括源区、漏区以及设置在所述源区和所述漏区之间的沟道区；/n设置在所述沟道区上的第一绝缘层；/n设置在所述第一绝缘层上的阻变材料层，所述阻变材料层的材料和所述第一绝缘层的材料不同；/n设置在所述阻变材料层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层的材料和所述阻变材料层的材料不同；/n设置在所述第二绝缘层上的栅极。/n

【技术特征摘要】
1.一种非易失霍尔传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底包括源区、漏区以及设置在所述源区和所述漏区之间的沟道区；
设置在所述沟道区上的第一绝缘层；
设置在所述第一绝缘层上的阻变材料层，所述阻变材料层的材料和所述第一绝缘层的材料不同；
设置在所述阻变材料层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层的材料和所述阻变材料层的材料不同；
设置在所述第二绝缘层上的栅极。


2.根据权利要求1所述的非易失霍尔传感器，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为SiO2和高K材料中的至少一种，所述第一绝缘层的厚度为10纳米至15纳米。


3.根据权利要求1所述的非易失霍尔传感器，其特征在于，所述第二绝缘层的材料为SiO2和高K材料中的至少一种，所述第二绝缘层的厚度为10纳米至15纳米。


4.根据权利要求1所述的非易失霍尔传感器，其特征在于，所述阻变材料层的材料为TiOx、HfOx以及TaOx材料中的至少一种，所述阻变材料层的厚度为20纳米至30纳米。


5.根据权利要求1所述的非易失霍尔传感器，其特征在于，所述栅极的材料为多晶硅，所述栅极的厚度为40纳米至60纳米。


6.一种非易失霍尔传感器的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括源区、漏区以及设置在所述源区和所述漏区之间的沟道区；
在所述沟道区上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成阻变材料层，所述阻变材料层的材料和所述第一绝缘层的材料不同；
在所述阻变材料层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层的材料和所述阻变材料层的材料不同；
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【专利技术属性】
技术研发人员：范林杰，毕津顺，徐彦楠，习凯，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11