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本发明公开了一种非易失霍尔传感器及其制造方法、测试方法，所述非易失霍尔传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括源区、漏区以及设置在所述源区和所述漏区之间的沟道区；设置在所述沟道区上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上的阻变材料层，所述阻变...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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