MRAM电极及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种MRAM电极，包括：堆叠设置的隔离层、电极层和覆盖层，其中，所述隔离层的一侧表面靠近MTJ自由层；所述电极层设置于所述隔离层远离所述MTJ自由层的一侧表面，且所述电极层具有面内各向异性磁化；所述覆盖层设置于所述电极层远离所述隔离层的一侧表面。本发明专利技术能够为MTJ自由层提供一个可控的磁矩，辅助MTJ自由层翻转。

【技术实现步骤摘要】
MRAM电极及其制备方法
本专利技术涉及磁性存储器
，尤其涉及一种MRAM电极及其制备方法。
技术介绍
近年来，MRAM(MagneticRandomAccessMemory，磁性随机存储器)被认为是未来的固态非易失性记忆体，相比于目前其他类型的存储器，具有读写速度快、可实现无限次擦写、易于与目前的半导体工艺相兼容等优点。MRAM中的核心存储单元为MTJ单元，其结构主要包括磁性自由层/非磁性势垒层/磁性参考层。在外加磁场或电流等驱动下，磁性自由层的磁矩方向发生翻转，与磁性参考层的磁矩方向呈现平行态或反平行态，使得MRAM出现高低电阻态，可分别定义为存储态“0”和“1”，从而实现信息的存储。现有技术中，为了辅助MTJ自由层翻转，从而降低MTJ自由层翻转时需要的电流，采用的解决方法是：在MTJ结构中引入极化层，通过引入磁化方向垂直于自由层磁化方向的极化层，该极化层反射回自由层的载流子自旋极化方向与自由层呈90度，能给自由层施加一个较大的力矩，此力矩能辅助自由层翻转，从而降低翻转电流并提高翻转速度。<br>在实现本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MRAM电极，其特征在于，包括：堆叠设置的隔离层、电极层和覆盖层，其中，/n所述隔离层的一侧表面靠近MTJ自由层；/n所述电极层设置于所述隔离层远离所述MTJ自由层的一侧表面，且所述电极层具有面内各向异性磁化；/n所述覆盖层设置于所述电极层远离所述隔离层的一侧表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种MRAM电极，其特征在于，包括：堆叠设置的隔离层、电极层和覆盖层，其中，
所述隔离层的一侧表面靠近MTJ自由层；
所述电极层设置于所述隔离层远离所述MTJ自由层的一侧表面，且所述电极层具有面内各向异性磁化；
所述覆盖层设置于所述电极层远离所述隔离层的一侧表面。


2.根据权利要求1所述的MRAM电极，其特征在于，所述电极层为进行了磁场条件下的退火处理之后的铁磁层。


3.根据权利要求2所述的MRAM电极，其特征在于，所述铁磁层的材料为铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)或者包括铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)的合金。


4.根据权利要求1所述的MRAM电极，其特征在于，所述电极层包括进行了退火处理之后的铁磁层和反铁磁层，所述反铁磁层位于所述铁磁层和所述覆盖层之间。


5.根据权利要求4所述的MRAM电极，其特征在于，所述铁磁层的材料为铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)或者包括铁(Fe)、镍(...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩谷昌，竹敏，何世坤，
申请(专利权)人：中电海康集团有限公司，浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33