【技术实现步骤摘要】
芯片铜连线薄弱点在线监控方法及监控系统
本专利技术涉及集成电路领域,特别是涉及一种芯片铜连线薄弱点在线监控方法。本专利技术还涉及一种芯片铜连线薄弱点在线监控系统。
技术介绍
由于技术飞速进步,新材料和新工艺不断被用于新研发的器件中,所以可靠性设计基本不可能按照已有的产品进行。为达到一定的经济指标,半导体产品总是大批量生产的;并且修理半导体产成品也是不实际的。所以半导体产品在设计阶段加入可靠性的概念和在生产阶段减少变量就成为十分必要的要求。半导体器件可靠性取决于装配,使用,环境状况。影响因素包括气体,灰尘,沾污,电压,电流密度,温度,湿度,应力,往复振动,剧烈震荡,压强和电磁场的强度。目前FAB里,对于后段铜连线的薄弱点(weakpoint)监控最常见的方式是在线缺陷扫描(inlinedefectscan)。但是常见的在线缺陷扫描(inlinedefectscan)在监控时比较随机,并不是所有的薄弱点短路(weakpointshort)都能抓到,而且在线缺陷扫描(inlinedefectscan)由于拍摄角度、对焦等影 ...
【技术保护点】
1.一种芯片铜连线薄弱点在线监控方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1,获取芯片铜连线薄弱点;/nS2,在制作芯片铜连线的同时,复制一份铜连线薄弱点在芯片间切割道中形成电性测试结构;/nS3,对所述电性测试结构进行漏电流测试,若该电性测试结构漏电流大于阈值则判断其复制的芯片铜连线薄弱点漏电流也大于阈值,该芯片铜连线薄弱点短路。/n
【技术特征摘要】
1.一种芯片铜连线薄弱点在线监控方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,获取芯片铜连线薄弱点;
S2,在制作芯片铜连线的同时,复制一份铜连线薄弱点在芯片间切割道中形成电性测试结构;
S3,对所述电性测试结构进行漏电流测试,若该电性测试结构漏电流大于阈值则判断其复制的芯片铜连线薄弱点漏电流也大于阈值,该芯片铜连线薄弱点短路。
2.如权利要求1所述的芯片铜连线薄弱点在线监控方法,其特征在于:
实施步骤S2时,在制作芯片铜连线图形同时,在芯片间切割道中复制一份铜连线薄弱点图形,在割道中制作形成电性测试结构。
3.如权利要求1所述的芯片铜连线薄弱点在线监控方法,其特征在于:实施步骤S3时,若该电性测试结构漏电流大于阈值则定点复查或FA切片其复制的铜连线薄弱点。
4.如权利要求1-3所述的芯片铜连线薄弱点在线监控方法,其特征在于:其能用于逻辑器件或射频器件的芯片铜连线薄弱点在线监控。
5.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员:龚寒琴,
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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