【技术实现步骤摘要】
一种基于半导体温控的晶粒取向控制方法
本专利技术涉及金属焊接工艺领域，具有而言涉及一种基于半导体温控的晶粒取向控制方法及装置。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT）是一种由双极结型晶体三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，具有驱动功率小和饱和压低的优点。内部包含数层不同功能的结构材料，通常采用软钎焊工艺将芯片下表面通过焊层与绝缘陶瓷衬板相连（一次焊接），并将半导体芯片并联，以提高电流承载能力；芯片上表面采用引线键合的方式实现电气互连（二次焊接）。IGBT功率电子器件在实际工作过程中不仅会因为热疲劳、剪切疲劳等因素而失效，疲劳问题也是影响器件可靠性的关键性因素之一。IGBT原件的疲劳失效会导致相关的高功率电子器件失效，在控制系统可靠性要求较高的领域会造成严重的影响。在焊接封装过程中焊锡接头的粒子运动方向散乱且不可控，导致接头处抗疲劳可靠性较低，大大降低了电路的使用寿命。
技术实现思路
为了解决现有技...
【技术保护点】
1.一种分区电流驱动重熔与半导体温控定向凝固装置，其特征在于：该装置包括第一半导体制冷模块（1）、第二半导体制冷模块（2）、第一焊盘（3）、第二焊盘（4）和焊锡接头（5）；所述第一半导体制冷模块（1）与所述第一焊盘（3）的上表面贴合接触，所述第二半导体制冷模块（2）与所述第二焊盘（4）的下表面贴合接触，所述第一焊盘（3）和所述第二焊盘（4）相对设置；所述第一焊盘（3）和所述第二焊盘（4）在电源加载时，所述焊锡接头（5）呈电阻性，被电加热后重新融化，焊锡呈流动状态；所述第一半导体制冷模块（1）在电源加载时，贴合于所述第一焊盘（3）的一面制热；所述第二半导体制冷模块（2）在电源...
【技术特征摘要】
1.一种分区电流驱动重熔与半导体温控定向凝固装置，其特征在于：该装置包括第一半导体制冷模块（1）、第二半导体制冷模块（2）、第一焊盘（3）、第二焊盘（4）和焊锡接头（5）；所述第一半导体制冷模块（1）与所述第一焊盘（3）的上表面贴合接触，所述第二半导体制冷模块（2）与所述第二焊盘（4）的下表面贴合接触，所述第一焊盘（3）和所述第二焊盘（4）相对设置；所述第一焊盘（3）和所述第二焊盘（4）在电源加载时，所述焊锡接头（5）呈电阻性，被电加热后重新融化，焊锡呈流动状态；所述第一半导体制冷模块（1）在电源加载时，贴合于所述第一焊盘（3）的一面制热；所述第二半导体制冷模块（2）在电源加载时，贴合于所述第二焊盘（4）的一面制冷，在焊锡接头（5）的冷却过程中形成温度梯度。
2.根据权利要求1所述的分区电流驱动重熔与半导体温控定向凝固装置，其特征在于：所述第一半导体制冷模块（1）包括第一半导体制冷子模块A（11）和第一半导体制冷子模块B（12），所述第一半导体制冷子模块A（11）和所述第一半导体制冷子模块B（12）均包括第一半导体制冷片（111）。
3.根据权利要求2所述的分区电流驱动重熔与半导体温控定向凝固装置，其特征在于：所述第一半导体制冷子模块A（11）和所述第一半导体制冷子模块B（12）还包括第一冷却腔（112），所述第一半导体制冷片（111）与所述第一冷却腔（112）层叠设置；所述第一半导体制冷片（111）和所述第一冷却腔（112）之间用第一盖板（113）电隔离并进行热传递。
4.根据权利要求1所述的分区电流驱动重熔与半导体温控定向凝固装置，其特征在于：所述第二半导体制冷模块（2）包括第二半导体制冷子模块A（21）和第二半导体制冷子模块B（22），所述第二半导体制冷子模块A（21）和第二半导体制冷子模块B（22）均包括第二半导体制冷片（211）。
5.根据权利要求4所述的分区电流驱动重熔与半导体温控定向凝固装置，其特征在于：所述第二半导体制冷子模块A（21）和所述第二半导体制冷子模块B（22）还包括第二冷却腔（212），所述第二半导体制冷片（211）与所述第二冷却腔（212）层叠设置；所述第二半导体制冷片（211）和所述第二冷却腔（212）之间用第二盖板（213）电隔离并进行热传递。
6.根据权利要求4所述的分区电流驱动重熔与半导体温控定向凝固装置，其特征在于：所述第二半导体制冷子模块A（21）和所述第二半导体制冷子模块B（22）独立加载电源，电源可以仅加载于所述第二半导体制冷子模块A（21），或仅加载于所述第二半导体制...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾志，覃永昊，彭倍，于慧君，周吴，杜旭荧，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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