测试样品及其制备方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种测试样品及其制备方法，通过提供待检测试样；其中，所述待检测试样包括：第一介质层和覆盖所述第一介质层的第二介质层；所述第一介质层覆盖第一沟道的侧壁；将所述待检测试样中至少第一区域对应的部分所述第二介质层的材料替换为第一材料；其中，所述第一区域包括所述待检测试样中被疑似存在缺陷的区域；所述第一介质层和替换材料后的所述第二介质层在显微镜下的成像图像的衬度差大于预设衬度；对进行材料替换后的待检测试样进行切片处理，得到测试样品；其中，所述测试样品用于通过所述显微镜进行缺陷检测。

【技术实现步骤摘要】
测试样品及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种测试样品及其制备方法。
技术介绍
在对失效试样，如三维NAND型存储器的失效分析的过程中，先定位出失效试样中具体的某个失效器件，如某个失效存储单元对应的位置；然后对该对应位置处做平面或者截面的切片，得到测试样品；再观察该测试样品，以获取该失效器件的具体物理结构的异常，从而寻找根因，为相应的工艺改进提供依据。然而，相关技术中制备的测试样品存在无法正常观察到失效试样中失效器件的具体物理结构的异常的问题。
技术实现思路
为解决相关技术问题，本专利技术实施例提出了一种测试样品及其制备方法。本专利技术实施例提供了一种测试样品的制备方法，包括：提供待检测试样；其中，所述待检测试样包括：第一介质层和覆盖所述第一介质层的第二介质层；所述第一介质层覆盖第一沟道的侧壁；将所述待检测试样中至少第一区域对应的部分所述第二介质层的材料替换为第一材料；其中，所述第一区域包括所述待检测试样中被疑似存在缺陷的区域；所述第一介质层和替换材料后的所述第二介质层在显微镜下的成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试样品的制备方法，其特征在于，包括：/n提供待检测试样；其中，所述待检测试样包括：第一介质层和覆盖所述第一介质层的第二介质层；所述第一介质层覆盖第一沟道的侧壁；/n将所述待检测试样中至少第一区域对应的部分所述第二介质层的材料替换为第一材料；其中，所述第一区域包括所述待检测试样中被疑似存在缺陷的区域；所述第一介质层和替换材料后的所述第二介质层在显微镜下的成像图像的衬度差大于预设衬度；/n对进行材料替换后的待检测试样进行切片处理，得到测试样品；其中，所述测试样品用于通过所述显微镜进行缺陷检测。/n

【技术特征摘要】
1.一种测试样品的制备方法，其特征在于，包括：
提供待检测试样；其中，所述待检测试样包括：第一介质层和覆盖所述第一介质层的第二介质层；所述第一介质层覆盖第一沟道的侧壁；
将所述待检测试样中至少第一区域对应的部分所述第二介质层的材料替换为第一材料；其中，所述第一区域包括所述待检测试样中被疑似存在缺陷的区域；所述第一介质层和替换材料后的所述第二介质层在显微镜下的成像图像的衬度差大于预设衬度；
对进行材料替换后的待检测试样进行切片处理，得到测试样品；其中，所述测试样品用于通过所述显微镜进行缺陷检测。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待检测试样包括三维存储器，所述第一沟道、第一介质层及第二介质层用于形成所述三维存储器中的存储单元串，所述第一区域包括所述存储单元串中异常存储单元所在的区域。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氧化硅，所述第二介质层的材料包括多晶硅，所述第一材料包括重金属。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一材料包括钨或者铂金。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少将所述待检测试样中所述第一区域对应的部分第二介质层的材料替换为第一材料，包括：
将所述待检测试样进行减薄处理，以使所述待检测试样...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，漆林，邹锭，仝金雨，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42