一种具有高晶粒生长速率的钒薄膜制备方法技术

本发明专利技术提供了一种具有高晶粒生长速率的钒薄膜的制备方法，具体步骤如下：1)采用非平衡型磁控溅射设备进行沉积，在设备的两个相对放置的镜像靶座上分别安装一个钒靶材；2)将清洗干净的衬底放置于样品台中心，将沉积腔抽真空至2×10

【技术实现步骤摘要】
一种具有高晶粒生长速率的钒薄膜制备方法
本专利技术属于金属薄膜材料
，具体涉及一种具有高晶粒生长速率的<110>取向的钒薄膜的制备方法。
技术介绍
晶粒尺寸控制是材料工程领域的一个重要层面。晶粒尺寸对薄膜的光学性能、电学性能以及机械性能都有很大影响。金属薄膜通常采用物理气相沉积法(PVD)制备，但PVD沉积制备的薄膜通常为微晶态或非晶态，且薄膜内部存在大量缺陷。因此，研究制备结晶性金属薄膜的工艺，尤其是高晶粒生长速率的制备工艺尤为重要。在钒的高压相变研究中，利用同步X射线衍射实验观察稳态体心立方相钒的V(110)和V(211)衍射环附近高压相转变产生的菱方相的V(100)和V(210)衍射环来判断钒发生了相的转变。具有大晶粒尺寸的钒薄膜作为钒高压相变研究中的“衍射靶材”能使同步X射线衍射实验中的衍射信号强度增大，有利于钒高压相变研究工作的开展，但目前尚无这方面的相关报导。本专利技术使用非平衡型磁控溅射系统，通过调整制备工艺条件，控制薄膜形貌，获得薄膜结晶性更好、晶粒尺寸更大的钒薄膜，实验过程操作简单、结果重复性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有高晶粒生长速率的钒薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：/n1)采用非平衡型磁控溅射设备进行沉积，在设备的两个相对放置的镜像靶座上分别安装一个尺寸相同的金属钒靶材，并调节两个靶面的间距为11～13.5cm；/n2)将清洗干净的衬底放置于样品台中心，将沉积腔抽真空至2×10

【技术特征摘要】
1.一种具有高晶粒生长速率的钒薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：
1)采用非平衡型磁控溅射设备进行沉积，在设备的两个相对放置的镜像靶座上分别安装一个尺寸相同的金属钒靶材，并调节两个靶面的间距为11～13.5cm；
2)将清洗干净的衬底放置于样品台中心，将沉积腔抽真空至2×10-4Pa；
3)以氩气为溅射气体，设定氩气流量为8～30sccm，并调节Ar分压为3Pa，将衬底温度升温至70℃；
4)开启靶电源，样品台以10r/min的速率自转，设定溅射功率为80W，采用直流磁控溅射方式在衬底表面溅射沉积金属钒薄膜，得到<110>取向的钒薄膜。


2.根据权利要求1所述的具有高晶粒生长速率的钒薄膜的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：章嵩，涂溶，张联盟，
申请(专利权)人：气相科技武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42