【技术实现步骤摘要】
溅射装置
本专利技术涉及溅射技术,特别涉及使金属薄膜的面内的特性分布成为均匀的溅射技术。
技术介绍
借助溅射方法进行的薄膜形成是被广泛使用的技术,近年来,为了在大型基板上形成薄膜,要求在大面积基板上形成特性分布均匀的薄膜的技术。图9(俯视图和E-E线、F-F线截断剖视图)的等离子装置102在阴极电极112的表面配置有靶极113,在背面设置有多个磁铁装置1151~1155,所述磁铁装置1151~1154在磁轭127上配置有外周磁铁125和内侧磁铁126,如果靶极113被溅射,则在与靶极113面对而配置在基板配置部114上的基板116的表面上形成薄膜。在基板116的外周上配置有阳极电极117,使得在靶极113表面上形成的等离子变得均匀。但是,基板116更加大型化,随之而靶极113及磁铁装置1151~1154大型化,结果在基板116的距短边较近的区域和其之间的中央的部分上,形成的薄膜的特性的差异变大。如果短边部分的薄膜的电阻值与中央部分的薄膜的电阻值较大地不同,则在基板表面上形成的发光层的发光分布不 ...
【技术保护点】
1.一种溅射装置,具有:/n真空槽;/n靶极,配置在前述真空槽的内部;/n阴极电极,配置在前述靶极的背面侧且与溅射电源连接;/n多个磁铁装置,配置在前述阴极电极的背面侧;/n基板配置部,配置基板;以及/n环形形状的阳极电极,连接在接地电位上,在前述基板的外周上覆盖;/n在各前述磁铁装置中,设置有细长的环形形状的外周磁铁和配置在其内侧的内侧磁铁;/n在前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间形成的磁束被泄漏到前述靶极的表面,将前述靶极溅射,在前述基板表面上形成薄膜;/n其特征在于,/n前述外周磁铁和其内侧的前述内侧磁铁隔开,作为前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间的区域的等离 ...
【技术特征摘要】
20190626 JP 2019-1181651.一种溅射装置,具有:
真空槽;
靶极,配置在前述真空槽的内部;
阴极电极,配置在前述靶极的背面侧且与溅射电源连接;
多个磁铁装置,配置在前述阴极电极的背面侧;
基板配置部,配置基板;以及
环形形状的阳极电极,连接在接地电位上,在前述基板的外周上覆盖;
在各前述磁铁装置中,设置有细长的环形形状的外周磁铁和配置在其内侧的内侧磁铁;
在前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间形成的磁束被泄漏到前述靶极的表面,将前述靶极溅射,在前述基板表面上形成薄膜;
其特征在于,
前述外周磁铁和其内侧的前述内侧磁铁隔开,作为前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间的区域的等离子区域被设成细长的环形形状;
在前述等离子区域的两端与前述基板的表面所位于的平面之间,配置有连接到接地电位的电极板;
使前述电极板的表面与前述靶极的表面之间的距离比前述阳极电极的表面与前述靶极的表面之间的距离短,
前述电极板配置在前述靶极的沿前述等离子区域的两端而...
【专利技术属性】
技术研发人员:大久保裕夫,小林大士,小野贵裕,
申请(专利权)人:株式会社爱发科,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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