【技术实现步骤摘要】
一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法
本专利技术属于新能源新材料领域，尤其涉及一种ITO薄膜，具体为一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法。
技术介绍
透明导电薄膜是平板电视、触摸屏、光伏电池等器件制造必要的组成部件之一。近年来，随着触摸显示技术、能源等产业的发展，人们对透明导电薄膜的需求量急剧增大，而在透明导电薄膜中，应用最广的一类是锡掺杂氧化铟薄膜，俗称ITO薄膜。ITO薄膜在半导体器件中有着重要的作用，其作用基本体现在透光、导电、界面接触等几个方面。由于ITO薄膜是一种陶瓷薄膜，其抗弯折性差，多次形变之后薄膜易开裂，从而使电阻显著增大，导致器件效果变差。所以目前也有低电阻特性的铜金属网栅透明导电薄膜出现，但是其透明沉底PET本身的可见光区透过率低于92％，因此难以获得高透过率和低电阻的透明导电薄膜。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术存在的问题，提供一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法。该方法具体是一种与P型半导体材料，特别是P型非晶硅材料具有优异接触性能的高透高迁移率ITO薄膜的磁控溅射...
【技术保护点】
1.一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：/nS1、在衬底上生长In
【技术特征摘要】
1.一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
S1、在衬底上生长In2O3籽晶层；
S2、在S1生长的In2O3籽晶层上生长ITO薄膜；
S3、将S2中的复合薄膜进行退火处理。
2.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：在衬底上生长In2O3籽晶层的温度为室温；在衬底上生长In2O3籽晶层的靶材为In2O3靶材。
3.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：In2O3籽晶层的磁控溅射的功率密度在30mW/cm2-500mW/cm2。
4.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：In2O3籽晶层的磁控溅射的气氛为H2与Ar的混合气氛，且H2与Ar的流量比为1:50-1:100。
5.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：In2O3籽晶层的厚度为1-10nm；所述的生长完In2O3籽晶层后，生长ITO薄膜之前，腔室不破空。
6.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：张悦，庞先标，刘曙光，杨荣，
申请(专利权)人：中兴能源有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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