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本发明属于新能源新材料领域，尤其涉及一种ITO薄膜，具体为一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法。该方法包括以下步骤：S1、在衬底上生长In...
该专利属于中兴能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中兴能源有限公司授权不得商用。

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