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本发明提供了一种具有高晶粒生长速率的钒薄膜的制备方法，具体步骤如下：1)采用非平衡型磁控溅射设备进行沉积，在设备的两个相对放置的镜像靶座上分别安装一个钒靶材；2)将清洗干净的衬底放置于样品台中心，将沉积腔抽真空至2×10...
该专利属于气相科技(武汉)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过气相科技(武汉)有限公司授权不得商用。

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