微机电系统装置及其制造方法制造方法及图纸

一种微机电系统装置及其制造方法，制造微机电系统装置的方法包括在基底层上形成压电薄膜及金属薄膜的堆叠，其中压电薄膜及金属薄膜交替配置。方法亦包括在压电薄膜及金属薄膜的堆叠中形成第一沟槽。方法进一步包括在第一沟槽的侧壁形成至少一个孔隙。此外，方法包括在至少一个孔隙中形成间隔结构。方法进一步包括在间隔结构的形成之后，在第一沟槽中形成接触件。

【技术实现步骤摘要】
微机电系统装置及其制造方法
本公开是关于微机电系统装置及微机电系统装置的制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)产业经历了快速的成长。在集成电路发展的过程中，普遍增加了功能密度(亦即，每个芯片面积的内连接装置数量)，而减少了几何尺寸(亦即，使用生产制程可创建的最小组件(或线路))。此种按比例缩小的制程通常可通过增加生产效率及减低相关成本来提供效益。然而，如此按比例缩小亦伴随着并入此等集成电路的装置设计及制造复杂性增加，且为了实现此等进步，装置设计需要类似的发展。随着功能密度的演进，微机电系统(micro-electromechanicalsystems，MEMS)装置的发展导致了全新的装置及结构，此等装置及结构的尺寸远低于从前可达到的尺寸。微机电系统装置为形成具有机械及电子特征的微结构的技术。微机电系统装置可包括实现机械功能性的多个元件(例如，可移动元件)。此外，微机电系统装置可包括各种感应器，此等感应器感应各种机械信号，例如压力、惯性力等，并将机械信号转换成相应的电子信号。<br>微机电系统应用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造微机电系统装置的方法，其特征在于，包括：/n在一基底层上形成多个压电薄膜及多个金属薄膜的一堆叠，其中所述多个压电薄膜及所述多个金属薄膜以一交替方式配置；/n在所述多个压电薄膜及所述多个金属薄膜的该堆叠中蚀刻一第一沟槽；/n在该第一沟槽的一侧壁形成至少一孔隙；/n在该至少一孔隙中形成一间隔结构；以及/n在形成该间隔物结构之后，在该第一沟槽中形成一接触件。/n

【技术特征摘要】
20190628 US 62/868,638;20200520 US 16/879,5651.一种制造微机电系统装置的方法，其特征在于，包括：
在一基底层上形成多个压电薄膜及多个金属薄膜的一堆叠，其中所述多个压电薄膜及所述多个金属薄膜以一交替方式配置；
在所述多个压电薄膜及所述多个金属薄膜的该堆叠中蚀刻一第一沟槽；
在该第一沟槽的一侧壁形成至少一孔隙；
在该至少一孔隙中形成一间隔结构；以及
在形成该间隔物结构之后，在该第一沟槽中形成一接触件。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成至少一孔隙，使得该孔隙位于所述多个压电薄膜中至少一者的一顶部部分，所述多个金属薄膜中的一金属薄膜形成在所述多个压电薄膜中该至少一者上。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在该至少一孔隙中形成该间隔结构，包括：
在该第一沟槽的该侧壁上形成该间隔结构的一薄膜，其中该间隔结构填充在该第一沟槽的该侧壁的该至少一孔隙；以及
移除该第一沟槽的该侧壁上的该间隔结构的该薄膜，但保留在该第一沟槽的该侧壁的该至少一孔隙中的该间隔结构。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一沟槽不穿透所述多个压电薄膜及所述多个金属薄膜的该堆叠，且该方法进一步包括：
在该第一沟槽下方形成一第二沟槽以暴露该基底层，
其中该接触件覆盖该第一沟槽的该侧壁、该第二沟槽的一侧壁和该第二沟槽暴露的部分该基底层。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在一基底压电薄膜上形成一基底金属薄膜来制备该基底层，其中所述多个压电薄膜及所述多个金属薄膜的该堆叠形成在该基底金属薄膜上。


6.一种制造微机电系统装置的方法，其特征在于，包括：
在一基底层上沉积一第一压...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亭蓉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71