一种MEMS器件的制造方法及MEMS器件技术

本发明专利技术公开了一种MEMS器件的制造方法及MEMS器件，涉及微电子机械系统技术领域，用于在制造具有悬空结构的MEMS器件时提高刻蚀图形的尺寸精度，提升MEMS器件的品质。所述MEMS器件的制造方法包括：提供一基底，基底上形成有第一牺牲层；去除第一牺牲层位于预定区域内的部分，形成凹槽；预定区域为悬空结构与基底之间的区域；在凹槽内形成第二牺牲层，第二牺牲层的上表面与第一牺牲层的上表面平齐，第二牺牲层的致密性低于第一牺牲层的致密性；在第一牺牲层和第二牺牲层上形成悬空结构层，悬空结构层包括位于第一牺牲层上的支撑结构、以及位于第二牺牲层上的悬空结构；去除第二牺牲层，释放悬空结构。所述MEMS器件的制造方法用于制造具有悬空结构的MEMS器件。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS器件的制造方法及MEMS器件
本专利技术涉及微电子机械系统
，尤其涉及一种MEMS器件的制造方法及MEMS器件。
技术介绍
在制造具有悬空结构的微电子机械系统(Micro-Electro-MechanicalSystem，缩写为MEMS)时，一般会采用热氧化工艺或淀积工艺，在硅衬底上形成二氧化硅层。接着在二氧化硅层上形成悬空结构，并通过HF释放蚀刻工艺去除二氧化硅层位于悬空结构下方的部分，从而释放悬空结构。但是，在去除二氧化硅层位于悬空结构下方的部分时，难以控制刻蚀图形的尺寸精度，使得MEMS器件的品质较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种MEMS器件的制造方法及MEMS器件，用于在制造具有悬空结构的MEMS器件时提高刻蚀图形的尺寸精度，提升MEMS器件的品质。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种MEMS器件的制造方法，该MEMS器件用于制造具有悬空结构的MEMS器件，该MEMS器件的制造方法包括：提供一基底，基底上形成有第一牺牲层；去除第一牺牲层位于预定区域内的部分，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，应用于制造具有悬空结构的MEMS器件，所述MEMS器件的制造方法包括：/n提供一基底，所述基底上形成有第一牺牲层；/n去除所述第一牺牲层位于预定区域内的部分，形成凹槽；所述预定区域为所述悬空结构与所述基底之间的区域；/n在所述凹槽内形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的上表面与所述第一牺牲层的上表面平齐，所述第二牺牲层的致密性低于所述第一牺牲层的致密性；/n在所述第一牺牲层和所述第二牺牲层上形成悬空结构层，所述悬空结构层包括位于所述第一牺牲层上的支撑结构、以及位于所述第二牺牲层上的悬空结构；/n去除所述第二牺牲层，释放所述悬空结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，应用于制造具有悬空结构的MEMS器件，所述MEMS器件的制造方法包括：
提供一基底，所述基底上形成有第一牺牲层；
去除所述第一牺牲层位于预定区域内的部分，形成凹槽；所述预定区域为所述悬空结构与所述基底之间的区域；
在所述凹槽内形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的上表面与所述第一牺牲层的上表面平齐，所述第二牺牲层的致密性低于所述第一牺牲层的致密性；
在所述第一牺牲层和所述第二牺牲层上形成悬空结构层，所述悬空结构层包括位于所述第一牺牲层上的支撑结构、以及位于所述第二牺牲层上的悬空结构；
去除所述第二牺牲层，释放所述悬空结构。


2.根据权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层均为二氧化硅层。


3.根据权利要求2所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述第二牺牲层为掺杂有磷的二氧化硅层。


4.根据权利要求2所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述基底为硅衬底；
采用热生长工艺或淀积工艺在所述基底上形成所述第一牺牲层。


5.根据权利要求2所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，采用气相HF释放蚀刻工艺去除所述第二牺牲层，释放所述悬空结构。


6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐家艳，彭四伟，
申请(专利权)人：地球山北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11