超导薄膜制备方法及超导薄膜技术

本申请涉及一种超导薄膜制备方法及超导薄膜，包括：提供基底；去除所述基底上表面的杂质并形成平滑上表面；采用分子束外延生长技术于所述平滑上表面上生长镧系金属单晶层，使得所述平滑上表面与所述镧系金属单晶层之间生成一原子级平整的界面。本申请提供了一种制作工艺简单、周期短的超导薄膜制备方法，利用该方法制备的超导薄膜具有优良的低温超导性能；并且该超导薄膜中具有一原子级平整的界面，该原子级平整的界面在原子尺度上规则、平整、几乎无缺陷及杂质，可以通过该原子级平整的界面研究电子结构，以获取超导电性的起源，也可以为完善超导理论、探索更多超导材料提供启示。

【技术实现步骤摘要】
超导薄膜制备方法及超导薄膜
本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种超导薄膜制备方法及超导薄膜。
技术介绍
研究表明反铁磁重费米子材料在加压的情况下具备非常规超导电性。以CeIn3材料为例，由于Ce比La多一个4f电子，研究其中电子结构的差别有助于理解其中超导电性的起源，也可以为完善超导理论、探索更多超导材料提供启示。然而，一般情况下，反铁磁重费米子材料为三维性晶体结构，且晶体结构复杂，真空解理并不能获得理想的表面，这使得观察电子结构的常规手段，利用角分辨光电子能谱仪获取材料电子结构的方法难以生效。如何提供一种制作工艺简单、周期短，且能够获得高质量的单晶薄膜表面以研究电子结构，是获取材料的导电性起源的过程中亟待解决的技术问题。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种制作工艺简单、周期短，且能够获得高质量的单晶薄膜表面以研究电子结构的超导薄膜制备方法及超导薄膜。为实现上述目的及其他相关目的，本申请的一方面提供一种超导薄膜制备方法，包括如下步骤：提供基底；去除所述基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超导薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供基底；/n去除所述基底上表面的杂质并形成平滑上表面；/n采用分子束外延生长技术于所述平滑上表面上生长镧系金属单晶层，使得所述平滑上表面与所述镧系金属单晶层之间生成一原子级平整的界面。/n

【技术特征摘要】
1.一种超导薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基底；
去除所述基底上表面的杂质并形成平滑上表面；
采用分子束外延生长技术于所述平滑上表面上生长镧系金属单晶层，使得所述平滑上表面与所述镧系金属单晶层之间生成一原子级平整的界面。


2.根据权利要求1所述的超导薄膜制备方法，其特征在于，所述去除所述基底上表面的杂质并形成平滑上表面的步骤包括：
采用化学腐蚀工艺处理所述基底，以形成预处理基底；
将所述预处理基底置于超高真空系统中进行热处理以形成所述平滑上表面。


3.根据权利要求2所述的超导薄膜制备方法，其特征在于，所述将所述预处理基底置于超高真空系统中进行热处理以形成所述平滑上表面的步骤包括：
将所述预处理基底置于超高真空系统中；
将所述预处理基底升温至345℃-355℃，以进行高温除气处理。


4.根据权利要求1所述的超导薄膜制备方法，其特征在于，生长的镧系金属单晶层包括LaIn3单晶层、CeCoIn5单晶层、LaOs4Sb12单晶层或PrOs4Sb12单晶层中的至少一种。


5.根据权利要求3所述的超导薄膜制备方法，其特征在于，所述采用分子束外延生长技术于所述平滑上表面上生长镧系金属单晶层的步骤包括：
将平滑处理后的基底降温至295℃-305℃；
提供La源和In源，所述La源和所述In源的束流比保持为1：3，所述La源的生长温度保持为1525℃-1535℃，所述In源的生长温度保持在...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪健，楼厦，薛聪，
申请(专利权)人：埃特曼深圳半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44