一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法技术

本发明专利技术的目的是提供一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法，通过一次性向石墨坩埚中按比例投入铟和镁固体物料，利用控制加热模块控温，金属液态恒速搅拌均匀，引晶梯度生长法装置连锁；制备的铟镁合金晶体主量组成分布均匀；没有金属分层现象；实现从原有真空法和混合法制备铟镁合金过程中存在压力容器风险和合金分层不均匀问题；可以实现微正压方法加热‑搅拌‑引晶‑收晶一体高效集成；准确控制反应速度，实现整个晶体生长过程中安全风险可控，极大的提高铟镁合金晶体的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法
本专利技术涉及MO源的铟镁合金合成领域，尤其涉及一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法。
技术介绍
目前，在铟镁合金合成工艺中，主要采用真空法和混合法进行量组成均匀分布。铟镁合金制备过程中，铟的密度（7.3g/cm3）镁的密度(1.738g/cm30)易产生镁与铟的分层；无法满足上下晶体主量组成均匀分布。因此需要采用一种引晶梯度生长合成法来合成铟镁合金。因此解决这一问题就显得十分必要了。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法，通过一次性向石墨坩埚中按比例投入铟和镁固体物料，利用控制加热模块控温，金属液态恒速搅拌均匀，引晶梯度生长法装置连锁；制备的铟镁合金晶体主量组成分布均匀；没有金属分层现象；实现从原有真空法和混合法制备铟镁合金过程中存在压力容器风险和合金分层不均匀问题；可以实现微正压方法加热-搅拌-引晶-收晶一体高效集成；准确控制反应速度，实现整个晶体生长过程中安全风险可控，极大的提高铟镁合金晶体的质量，解决了
技术介绍
中出现的问题。r>本专利技术的目的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法，其特征在于：包括有以下步骤：/n步骤一：按比例称量铟和镁固体物料，一次性将称量的铟和镁固体物料投入到石墨坩埚中；/n步骤二：对石墨坩埚采用控制加热模块控温，铟和镁固体物料呈金属液态，铟和镁固体物料金属液态在石墨坩埚中恒速搅拌均匀，采用引晶梯度生长法装置连锁，最后进行收晶得到铟镁合金，最终完成铟镁合金晶体的制备。/n

【技术特征摘要】
1.一种铟镁合金引晶梯度生长合成方法，其特征在于：包括有以下步骤：
步骤一：按比例称量铟和镁固体物料，一次性将称量的铟和镁固体物料投入到石墨坩埚中；
步骤二：对石墨坩埚采用控制加热模块控温，铟和镁固体物料呈金属液态，铟和镁固体物料金属液态在石墨坩埚中恒速搅拌均匀，采用引晶梯度生长法装置连锁，最后进行收晶得到铟镁合金，最终完成铟镁合金晶体的制备。

【专利技术属性】
技术研发人员：王友军，金凤高，徐昕，
申请(专利权)人：安徽亚格盛电子新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34