大晶粒准单晶薄膜及其制备方法技术

一种大晶粒准单晶薄膜及其制备方法，乃将表面具有<111>优选方向的金属薄膜藉由机械拉伸力的作用，使得晶粒的排列更为有序，再利用低于再结晶温度的退火处理，而成长为平均直径500微米以上的大晶粒，以获得具有三轴优选方向的大晶粒准单晶薄膜，此大晶粒准单晶薄膜于拉伸方向及垂直拉伸方向各具有<110>与<211>的优选方向，且维持其表面<111>的优选方向。本发明专利技术有利于生产高度异向性的大面积准单晶薄膜，亦可应用于成长二维材料或其他异向性特征结构的开发。

【技术实现步骤摘要】
大晶粒准单晶薄膜及其制备方法
本专利技术为关于一种金属薄膜生长的技术，特别是有关于一种在三轴具有高度优选方向的大晶粒准单晶薄膜及其制备方法。
技术介绍
在制备具有优选方向的金属薄膜材料的现有技术中，常见以磊晶、电镀成长、变形及热处理方法来制备。举例来说，在一些研究中可由电镀制备成长表面具有高度<111>优选方向的电镀纳米双晶铜薄膜，如美国专利US10094033，且电镀纳米双晶铜薄膜能展现其优越的热稳定性，能够有效的将无序晶粒转换为柱状纳米双晶铜晶粒，且此项技术成长的<111>纳米双晶铜经退火后会转为<100>优选方向。然而，此项技术尚无法有效控制薄膜表面以外的优选方向。就其他制备方法而言，美国专利US20100291402是使用高变形量滚压铜的退火处理，且须掺杂锡，而在滚压表面产生优选方向。美国专利US7078108是使用磁控溅镀法制备表面具有<111>优选方向的铜箔，但无法大量生产。美国专利US20040195105利用不同波形包含直流、脉冲、周期性负向电流直接制备准单晶铜薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大晶粒准单晶薄膜，其特征在于，所述大晶粒准单晶薄膜包含紧密排列的复数晶粒，所述大晶粒准单晶薄膜的表面上的50％以上面积的晶粒具有<111>优选方向，且所述大晶粒准单晶薄膜为经过施予机械拉伸力产生塑性变形并退火后有50％以上面积的晶粒在拉伸方向上具有<110>优选方向，且50％以上面积的晶粒在垂直所述拉伸方向具有<211>优选方向，所述晶粒的平均直径为500微米(μm)以上。/n

【技术特征摘要】
20190730 TW 108126890;20200727 TW 1091252901.一种大晶粒准单晶薄膜，其特征在于，所述大晶粒准单晶薄膜包含紧密排列的复数晶粒，所述大晶粒准单晶薄膜的表面上的50％以上面积的晶粒具有<111>优选方向，且所述大晶粒准单晶薄膜为经过施予机械拉伸力产生塑性变形并退火后有50％以上面积的晶粒在拉伸方向上具有<110>优选方向，且50％以上面积的晶粒在垂直所述拉伸方向具有<211>优选方向，所述晶粒的平均直径为500微米(μm)以上。


2.如权利要求1所述的大晶粒准单晶薄膜，其特征在于，所述表面为(111)晶面。


3.如权利要求1所述的大晶粒准单晶薄膜，其特征在于，所述大晶粒准单晶薄膜包含复数柱状晶结构。


4.如权利要求1所述的大晶粒准单晶薄膜，其特征在于，所述大晶粒准单晶薄膜为单层结构或多层复合结构。


5.如权利要求4所述的大晶粒准单晶薄膜，其特征在于，所述多层复合结构的至少一个表面形成有覆盖层。


6.如权利要求1所述的大晶粒准单晶薄膜，其特征在于，所述大晶粒准单晶薄膜选自银、铜、镍、铝、钯和镁所组成的组合。


7.一种大晶粒准单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包含下列步骤：
提供一种金属薄膜，所述金属薄膜包含紧密排列的复数晶粒，所述金属薄膜的表面上的50％...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智，李昱瑾，
申请(专利权)人：财团法人交大思源基金会，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71