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大晶粒准单晶薄膜及其制备方法技术
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文档序号:26753493
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一种大晶粒准单晶薄膜及其制备方法,乃将表面具有<111>优选方向的金属薄膜藉由机械拉伸力的作用,使得晶粒的排列更为有序,再利用低于再结晶温度的退火处理,而成长为平均直径500微米以上的大晶粒,以获得具有三轴优选方向的大晶粒准单晶...
该专利属于财团法人交大思源基金会所有,仅供学习研究参考,未经过财团法人交大思源基金会授权不得商用。
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