一种快速生长InSb单晶的方法技术

本发明专利技术公开了一种快速生长InSb单晶的方法。选取一个InSb单晶晶锭作为引晶晶锭，晶锭底部的宽颈部分直径不小于50mm；对底部进行切磨抛处理：将籽晶方柱上端固定在籽晶杆上，并连接于提拉装置上；将晶体底部的宽颈部位浸入熔体，当底面接触熔体之后缓慢浸入，设定加热功率，待晶体底面和熔体完全融合时，启动提拉装置，初始拉速8‑10mm/h，加热功率降低0.1‑0.4%，待新生晶体达到目标尺寸时，保持加热功率不变，拉速提升至12‑15mm/h，等待晶锭底面和熔体出现融合状态时完成引晶过程。该方法避免籽晶放肩过程中出现孪晶或多晶，在短时间内获得大尺寸InSb单晶，有利于提高InSb单晶的生长效率和成晶率。

【技术实现步骤摘要】
一种快速生长InSb单晶的方法
本专利技术涉及单晶制备，尤其是涉及一种快速生长InSb单晶的方法，具体涉及一种InSb单晶快速制备中的引晶晶锭的选择、引晶晶锭的处理和引晶过程。
技术介绍
在直拉法生长InSb（锑化铟）晶体过程中，首先将InSb原料放在坩埚中加热熔化。将固定于籽晶杆上的InSb籽晶从熔体表面缓慢浸入熔体中，浸入熔体的籽晶底部和熔体融合在一起，缓慢向上提拉籽晶杆，并通过籽晶杆散热。与籽晶接触的熔体首先获得一定的过冷度，而发生结晶。不断提拉籽晶杆，使结晶过程连续进行，从而实现连续的InSb晶体生长。如图1所示，在InSb单晶生长过程中，从小尺寸的籽晶方柱过渡到大尺寸的晶锭的过程称为“放肩”，即晶体直径变大部位定义为肩部，晶体放肩过程中的直径由提拉速率和加热功率共同调节。InSb单晶生长中，放肩角度过大的话容易导致孪晶的形成，因此通常采用小角度放肩工艺，放肩角度一般介于30-45º之间。此外，针对InSb这种材料，其自身的热导率较低，仅为17W/mK，生长过程中结晶潜热难以逸出，非常容易在晶体内部形成局部应力，产生位错，从而降本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种快速生长InSb单晶的方法，其特征在于：所述方法包括引晶晶锭的选择、引晶晶锭的处理和引晶过程，具体步骤如下：/n一、首先选取一个InSb单晶晶锭作为引晶晶锭，引晶晶锭由两部分组成：一是籽晶方柱；二是引晶晶锭具有满足放肩过程的晶体，即放肩部分晶锭；放肩角度为30-45º之间，放肩部分晶锭底部的宽颈部分直径不小于50mm；/n二、对引晶晶锭底部进行切磨抛处理，以保证底部表面基本平坦，并进行清洗，以保证底面的清洁度；/n三、引晶过程：将籽晶方柱上端固定在籽晶杆上，并连接于提拉装置上；将引晶晶体底部的宽颈部位浸入InSb熔体，当引晶晶体底面接触熔体之后缓慢浸入，待引晶晶体底面和熔体完全融合时启...

【技术特征摘要】
1.一种快速生长InSb单晶的方法，其特征在于：所述方法包括引晶晶锭的选择、引晶晶锭的处理和引晶过程，具体步骤如下：
一、首先选取一个InSb单晶晶锭作为引晶晶锭，引晶晶锭由两部分组成：一是籽晶方柱；二是引晶晶锭具有满足放肩过程的晶体，即放肩部分晶锭；放肩角度为30-45º之间，放肩部分晶锭底部的宽颈部分直径不小于50mm；
二、对引晶晶锭底部进行切磨抛处理，以保证底部表面基本平坦，并进行清洗，以保证底面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：于凯，徐世海，王健，洪颖，霍晓青，刘莎莎，张嵩，李强，程红娟，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12