【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓生长加热炉
本技术涉及氮化镓工业生产装置
,具体涉及一种氮化镓生长加热炉。
技术介绍
以氮化镓为代表的第三代半导体材料,由于具有宽的禁带,可以发射波长比红外更短的蓝光。同时,氮化镓还具有高电子迁移率、高击穿电压、化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀等特点,非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝、绿光和紫外光电子器件。因此,氮化镓在半导体发光二极管、激光二极管、紫外探测器以及高能高频电子器件等方面有广阔的应用前景。目前氮化镓实验室的生长研究已经较为成熟,但在工业生产中大批量生长获得氮化镓的技术仍存在一定的技术难度,虽然现有技术中包裹市售的也已存在多种的单晶生长设备,但大多都是用于碳化硅等单晶材料的生长,缺乏适用于氮化镓生长的工业生产设备。
技术实现思路
为解决现有技术中存在的问题,本技术专利设计了一种能够适用于氮化镓工业生产的生长加热炉,所述氮化镓生长加热炉包括炉体和支撑座,所述炉体设置于支撑座上,所述炉体的最内层为石英炉胆,所述石英炉胆的外侧为加热装置和保温隔热层;所 ...
【技术保护点】
1.一种氮化镓生长加热炉,其特征在于,所述氮化镓生长加热炉包括炉体和支撑座,所述炉体设置于支撑座上,所述炉体的最内层为石英炉胆,所述石英炉胆的外侧为加热装置和保温隔热层;所述支撑座包括底板和两端的侧板,所述侧板的底部固定在底板上,所述侧板上开有穿孔,所述石英炉胆的两端分别位于支撑座两端的侧板的穿孔中并通过法兰固定,所述石英炉胆的两端分别为进气端和生长杆插入端,所述进气端连接有进气法兰,所述生长杆插入端连接有封口法兰,所述封口法兰的中部固定有生长杆,并开有排气口。/n
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓生长加热炉,其特征在于,所述氮化镓生长加热炉包括炉体和支撑座,所述炉体设置于支撑座上,所述炉体的最内层为石英炉胆,所述石英炉胆的外侧为加热装置和保温隔热层;所述支撑座包括底板和两端的侧板,所述侧板的底部固定在底板上,所述侧板上开有穿孔,所述石英炉胆的两端分别位于支撑座两端的侧板的穿孔中并通过法兰固定,所述石英炉胆的两端分别为进气端和生长杆插入端,所述进气端连接有进气法兰,所述生长杆插入端连接有封口法兰,所述封口法兰的中部固定有生长杆,并开有排气口。
2.根据权利要求1所述的氮化镓生长加热炉,其特征在于,所述石英炉胆外侧的加热装置包括多段功率不同的加热电阻,所述加热电阻排列缠绕在石英炉胆的外侧,所述保温隔热层由内到位依次为石棉层和不锈钢外壳,所述不锈钢外壳的两端分别缠绕有一圈不锈钢箍带。
3.根据权利要求2所述的氮化镓生长加热炉,其特征在于,所述支撑座的两端的侧板的相对外侧面的穿孔处分别固定有固定法兰,所述石英炉胆的两端分别设置有连接法兰...
【专利技术属性】
技术研发人员:石恒业,邵永亮,张保国,胡海啸,李仕蛟,
申请(专利权)人:山东科恒晶体材料科技有限公司,
类型:新型
国别省市:山东;37
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