【技术实现步骤摘要】
一种用于制备PVT法氮化铝单晶生长用粉料的装置及方法
本专利技术涉及一种用于制备PVT法氮化铝单晶生长用粉料的装置及方法，属于晶体生长领域。
技术介绍
氮化铝粉体作为是制备氮化铝晶体材料的前提，氮化铝的制备及其纯度和性质对晶体生长非常得要，目前制备氮化铝高纯粉体的装备和方法一般需要进行预处理和后处理才可以得到相对纯度高的粉体，这些方法都存在自身或多或少的缺陷，比如产物结块、反应时间长、温度高、原料昂贵、产率低、甚至一些方法(等离子法)制备氮化铝粉末生产耗能大、设备复杂而且昂贵等。基于上述问题，亟需提出一种用于制备PVT法氮化铝单晶生长用粉料的装置及方法，以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于制备PVT法氮化铝单晶生长用粉料的装置及方法，其目的是通过使用简单的装置来制备晶体生长用的原料，达到纯化的目的。在下文中给出了关于本专利技术的简要概述，以便提供关于本专利技术的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本专利技术的穷举性概述。它并不是意图确定本专利技术的关键或重要部分，...
【技术保护点】
1.一种用于制备PVT法氮化铝单晶生长用粉料的装置，其特征在于：包括压盖机构(1)、炉壳(2)、坩埚顶盖(3)、陶瓷盖(4)、陶瓷坩埚(5)、电机(7)、支撑杆(8)、托盘(9)、外坩埚(10)、垫圈(11)和钨加热器(12)，炉壳(2)的下部设置有电机(7)，电机(7)的输出端与位于炉壳(2)内部的支撑杆(8)连接，支撑杆(8)的上端与托盘(9)固定连接，托盘(9)的上部设置有外坩埚(10)，外坩埚(10)的内部设置有陶瓷坩埚(5)，陶瓷坩埚(5)的上部设置有陶瓷盖(4)，坩埚顶盖(3)设置在外坩埚(10)的上侧，垫圈(11)位于外坩埚(10)和坩埚顶盖(3)之间，垫圈(...
【技术特征摘要】
1.一种用于制备PVT法氮化铝单晶生长用粉料的装置，其特征在于：包括压盖机构(1)、炉壳(2)、坩埚顶盖(3)、陶瓷盖(4)、陶瓷坩埚(5)、电机(7)、支撑杆(8)、托盘(9)、外坩埚(10)、垫圈(11)和钨加热器(12)，炉壳(2)的下部设置有电机(7)，电机(7)的输出端与位于炉壳(2)内部的支撑杆(8)连接，支撑杆(8)的上端与托盘(9)固定连接，托盘(9)的上部设置有外坩埚(10)，外坩埚(10)的内部设置有陶瓷坩埚(5)，陶瓷坩埚(5)的上部设置有陶瓷盖(4)，坩埚顶盖(3)设置在外坩埚(10)的上侧，垫圈(11)位于外坩埚(10)和坩埚顶盖(3)之间，垫圈(11)设置在陶瓷盖(4)外侧，压盖机构(1)设置在坩埚顶盖(3)上侧，压盖机构(1)与炉壳(2)建立连接，炉壳(2)内部设置有钨加热器(12)，钨加热器(12)位于外坩埚(10)的外侧。
2.根据权利要求1所述的一种用于制备PVT法氮化铝单晶生长用粉料的装置，其特征在于：压盖机构(1)包括驱动电机(1-1)、蜗轮(1-2)、蜗杆(1-3)、丝杆(1-4)、连接座(1-5)和压力头(1-6)，驱动电机(1-1)的输出端与蜗轮(1-2)连接，蜗轮(1-2)与蜗杆(1-3)啮合，蜗杆(1-3)与丝杆(1-4)啮合，丝杆(1-4)与连接座(1-5)螺纹连接，连接座(1-5)与压力头(1-6)固定连接，压力头(1-6)位于坩埚顶盖(3)上侧，压力头(1-6)与炉壳(2)滑动连接。
3.根据权利要求1所述的一种用于制备PVT法氮化铝单晶生长用粉料的装置，其特征在于：坩埚顶盖(3)、支撑杆(8)、托盘(9)、外坩埚(10)和垫圈(11)的材质为钨。
4.根据权利要求1所述的一种用于制备PVT法氮化铝单晶生长用...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：哈尔滨化兴软控科技有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23
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