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本发明涉及一种用于制备PVT法氮化铝单晶生长用粉料的装置及方法，属于晶体生长领域。通过使用简单的装置来制备晶体生长用的原料，达到纯化的目的。包括压力组合、炉壳、坩埚顶盖、陶瓷盖、陶瓷坩埚、电机、支撑杆、托盘、外坩埚、垫圈和钨加热器，炉壳的下...
该专利属于哈尔滨化兴软控科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨化兴软控科技有限公司授权不得商用。

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