一种在GAAS衬底上生长铟砷锑(INASSB)厚膜材料的方法技术

本发明专利技术涉及铟砷锑技术领域，尤其是一种在GAAS衬底上生长铟砷锑(INASSB)厚膜材料的方法，包括以下步骤：a、取GaAs衬底放入生长容器的衬底内；b、称量熔源材料并分别进行清洗和腐蚀；c、将生长容器和生长源放入液相外延系统的石英管中，抽真空并升温至710‑720℃后保持恒温，而后通入流动氢气1.5h,进行熔源作业；d、进行降温生长；e、进行外延生长。本发明专利技术制备工艺简单，制作成本较低，有利于商业应用。

【技术实现步骤摘要】
一种在GAAS衬底上生长铟砷锑(INASSB)厚膜材料的方法
本专利技术涉及铟砷锑
，尤其涉及一种在GAAS衬底上生长铟砷锑(INASSB)厚膜材料的方法。
技术介绍
远红外线(λ＞8μm)探测器在民用和军用上都有广泛的用途，如热成像仪、驾驶员夜视增强观察仪和各种遥感设备等。现在实用化的远红外线探测材料就只有碲铬镉汞(HgxCd1-xTe)一种，而HgxCd1-xTe又有稳定性和大面积均匀性差的缺点，所以人们一直在致力于寻找HgxCd1-xTe的替代材料，铟砷锑是其中非常理想的一种。铟砷锑的禁带宽度可随x从0.36eV变化到0.099eV(对应波长范围为3.1～12.5μm)，也像HgxCd1-xTe一样有很高的载流子迁移率和低的介电常数，但它的化学稳定性好，自扩散系数低，而且III-V族半导体的外延生长和加工处理工艺相对容易并高度发达。在GaAs衬底上外延生长铟砷锑薄膜是人们追求的目标，因为这样可以大大降低成本，还能将探测元集成到集成电路中去，大幅简化探测器的结构。但是由于GaAs和铟砷锑之间有很大的晶格失配，使得很难在GaAs上生长高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在GAAS衬底上生长铟砷锑(INASSB)厚膜材料的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：/na、取GaAs衬底放入生长容器的衬底内；/nb、按照In∶Sb∶As＝1∶0.7∶0.3的摩尔比例分别计算并精确称量熔源材料：In、Sb、InAs，然后对GaAs衬底和称取的In、Sb、和InAs生长源分别进行清洗和腐蚀，并氮气吹干备用；/nc、将步骤b中备取的熔源材料，在外延炉中经充分熔解并均匀混合后，放入与生长容器相匹配的生长源中，将生长容器和生长源放入液相外延系统的石英管中，抽真空并升温至710-720℃后保持恒温，而后通入流动氢气1.5h,进行熔源作业；/nd、熔源结束后，进行降温生长，...

【技术特征摘要】
1.一种在GAAS衬底上生长铟砷锑(INASSB)厚膜材料的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
a、取GaAs衬底放入生长容器的衬底内；
b、按照In∶Sb∶As＝1∶0.7∶0.3的摩尔比例分别计算并精确称量熔源材料：In、Sb、InAs，然后对GaAs衬底和称取的In、Sb、和InAs生长源分别进行清洗和腐蚀，并氮气吹干备用；
c、将步骤b中备取的熔源材料，在外延炉中经充分熔解并均匀混合后，放入与生长容器相匹配的生长源中，将生长容器和生长源放入液相外延系统的石英管中，抽真空并升温至710-720℃后保持恒温，而后通入流动氢气1.5h,进行熔源作业；
d、熔源结束后，进行降温生长，降温速率为1.8℃/min,降温至620-650℃时，随后炉温以0.3℃/min的速率缓慢降至560-570℃时，快速拉动装有GaAs衬底的生长容器...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭辉，刘欣，蔡祗首，杨涛，
申请(专利权)人：惠州市中惠宇航半导体新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44