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本发明涉及铟砷锑技术领域，尤其是一种在GAAS衬底上生长铟砷锑(INASSB)厚膜材料的方法，包括以下步骤：a、取GaAs衬底放入生长容器的衬底内；b、称量熔源材料并分别进行清洗和腐蚀；c、将生长容器和生长源放入液相外延系统的石英管中，抽真...
该专利属于惠州市中惠宇航半导体新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过惠州市中惠宇航半导体新材料有限公司授权不得商用。

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