n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜制造技术

本发明专利技术公开了一种n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜，采用射频磁控溅射方法，制备了表面均匀、成膜致密、结晶性好的钒掺杂n型氧化镓薄膜，与本征氧化镓薄膜相比，五族元素钒的掺杂提供了更多的载流子，显著提高了n型氧化镓薄膜的光电性能。本发明专利技术所制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜生长速度快，晶体质量高，导电性好，对于功率电子器件，日盲型紫外光探测器，气体传感器和薄膜晶体管等光电子领域具有重要意义和应用前景。

【技术实现步骤摘要】
n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜
本专利技术涉及一种n型氧化镓薄膜的掺杂工艺及其制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜，属于半导体材料制造工艺

技术介绍
氧化镓(Ga2O3)是一种重要的化合物半导体材料，与常见的硅(Si)、锗(Ge)等半导体材料相比，Ga2O3禁带宽度大，Eg＝4.85eV；Ga2O3击穿场强高，达到8MV/cm；Ga2O3耐腐蚀和抗辐射，可以应用在功率电子器件，日盲型紫外光探测器，气体传感器等许多领域。但本征的氧化镓大多表现出很高的电阻特性，不利于实现器件的应用，因此，需要通过掺杂来改善氧化镓的电子传输特性，同时降低电阻率。目前，n型Ga2O3的掺杂主要是碳、硅等四族元素，其最外层有四个电子，在取代Ga2O3之中的Ga原子后能比Ga原子多提供一个电子，从而提高电子的浓度，降低电阻率。但现有的Ga2O3的电阻特性较高，限制了其广泛的应用，成为亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，通过掺杂五族元素V，能够对Ga2O3的高电阻特性进行改善，达到其在日盲型紫外光探测器，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜，其特征在于，采用以下步骤进行钒掺杂n型氧化镓薄膜制备：/n(1)靶材的准备：/n提供一钒掺杂的Ga

【技术特征摘要】
1.一种n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜，其特征在于，采用以下步骤进行钒掺杂n型氧化镓薄膜制备：
(1)靶材的准备：
提供一钒掺杂的Ga2O3靶材；
(2)钒掺杂的n型Ga2O3薄膜生长过程：
在氧气和氩气氛围中，采用磁控溅射法，在洁净干燥的衬底上沉积薄膜，溅射腔体的本底真空为10-7Torr，溅射功率为50～250W，溅射气压不低于10-3Torr，控制衬底加热温度为20～700℃，控制加热生长时间为60～300mins，待溅射生成的n型Ga2O3薄膜自然冷却至室温后，取出沉积钒掺杂的n型Ga2O3薄膜的衬底；
(3)钒掺杂的n型Ga2O3薄膜退火过程：
将钒掺杂的n型Ga2O3薄膜在空气气氛中进行退火，得到钒掺杂的n型氧化镓薄膜。


2.根据权利要求1所述n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜，其特征在于：在所述步骤(1)中，所述靶材为陶瓷靶，其中所述钒与所述氧化镓的分子数量比为5～10％。


3....

【专利技术属性】
技术研发人员：黄健，胡艳，尚艺，陈卓睿，李洪伟，唐可，王林军，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31