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本发明公开了一种n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜，采用射频磁控溅射方法，制备了表面均匀、成膜致密、结晶性好的钒掺杂n型氧化镓薄膜，与本征氧化镓薄膜相比，五族元素钒的掺杂提供了更多的载流子，显著提高了n型氧化镓薄膜的光电性能...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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