【技术实现步骤摘要】
具有偏移电压消除的调节器
本专利技术大体上涉及电压调节器，且特定来说，在一或多个实施例中，本专利技术涉及用于消除电压调节器中的随机内建偏移电压的设备及方法。
技术介绍
存储器装置通常是提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器。快闪存储器装置已发展成广泛用于各种电子应用的非易失性存储器的来源。快闪存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功耗的单晶体管存储器单元。存储器单元的阈值电压中的变化，通过电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷陷阱)的编程(其通常被称为写入)，或其它物理现象(例如，相变或极化)，确定每一单元的数据值。快闪存储器的常见用途包含个人计算机、平板计算机、数码相机、数字媒体播放器、蜂窝电话、固态驱动及可卸除式存储器模块，且用途在不断增长。存储器装置可具有内部电压源，其由于参考电压的随机变化及过程变化而变化。此裸片到裸片变化可...
【技术保护点】
1.一种调节器，其包括：/n运算放大器，其包括非反相输入、反相输入及输出；/n可编程偏移电压，其经配置以基于代码消除所述调节器的内建偏移电压；及/n电路，其经配置以响应于偏移消除校准模式启用信号基于感测到的所述调节器的内建偏移电压设置所述代码。/n
【技术特征摘要】
20190621 US 16/448,1621.一种调节器，其包括：
运算放大器，其包括非反相输入、反相输入及输出；
可编程偏移电压，其经配置以基于代码消除所述调节器的内建偏移电压；及
电路，其经配置以响应于偏移消除校准模式启用信号基于感测到的所述调节器的内建偏移电压设置所述代码。
2.根据权利要求1所述的调节器，其进一步包括：
第一开关，其响应于所述偏移消除模式启用信号将所述非反相输入连接到所述运算放大器的所述反相输入；及
第二开关，其响应于所述偏移消除校准模式启用信号使所述运算放大器的所述反相输入从所述调节器的反馈路径断开。
3.根据权利要求2所述的调节器，其进一步包括：
第一晶体管，其向负载供应经调节电压；
第三开关，其响应于所述偏移消除校准模式启用信号将电压源连接到所述第一晶体管的栅极；及
第四开关，其响应于所述偏移消除校准模式启用信号使所述运算放大器的所述输出从所述第一晶体管的所述栅极断开。
4.根据权利要求2所述的调节器，其进一步包括：
第一晶体管，其具有电耦合到所述运算放大器的所述输出的栅极，所述第一晶体管向负载供应经调节电压；
第二晶体管，其具有电耦合到所述运算放大器的所述输出的栅极，所述第二晶体管向所述电路供应电压以用于感测所述内建偏移电压；
第三开关，其响应于所述偏移消除校准模式启用信号停用所述第一晶体管；及
第四开关，其响应于所述偏移消除校准模式启用信号启用所述第二晶体管。
5.根据权利要求2所述的调节器，其进一步包括：
第一晶体管，其电耦合到所述运算放大器的所述输出以向负载供应经调节电压，所述第一晶体管具有第一宽度；及
第二晶体管，其电耦合到所述运算放大器的所述输出以向所述电路供应电压以用于感测所述内建偏移电压，所述第二晶体管具有小于所述第一宽度的20％的第二宽度。
6.根据权利要求5所述的调节器，其中所述电路包括：
检测器，其电耦合到所述第二晶体管以比较由所述第二晶体管供应的所述电压与目标电压；及
状态机，其基于所述比较设置所述代码。
7.根据权利要求1所述的调节器，其中所述代码包括四位。
8.根据权利要求1所述的调节器，其中所述内建偏移电压的极性及量值是随机的。
9.一种调节器，其包括：
运算放大器，其包括非反相输入、反相输入及第一输出；
参考电压节点，其向所述运算放大器的所述非反相输入提供参考电压；
经调节电压节点，其基于所述参考电压向负载供应经调节电压；及
可编程偏移电压，其经控制以消除所述参考电压与所述经调节电压之间的内建偏移电压。
10.根据权利要求9所述的调节器，其进一步包括：
第一晶体管，其电耦合到所述运算放大器的所述第一输出及所述经调节电压节点；
第一电流源，其电耦合到所述经调节电压节点；及
控制器，其经配置以在所述调节器的操作模式期间将所述经调节电压节点连接到所述运算放大器的所述反相输入，且在所述调节器的偏移消除校准模式期间使所述经调节电压节点从所述运算放大器的所述反相输入断开。
11.根据权利要求10所述的调节器，其进一步包括：
偏移电压感测节点；
第二晶体管，其电耦合到所述运算放大器的所述第一输出及所述偏移电压感测节点；及
第二电流源，其电耦合到所述偏移电压感测节点，
其中所述控制器经配置以在所述调节器的所述操作模式期间使所述运算放大器的所述非反相输入从其所述反相输入断开，且在所述调节器的所述偏移消除校准模式期间将所述运算放大器的所述非反相输入连接到其所述反相输入。
12.根据权利要求11所述的调节器，其进一步包括：
检测器，其电耦合到所述偏移电压感测节点，所述检测器经配置以输出指示所述偏移电压感测节点上的电压是高于目标电压...
【专利技术属性】
技术研发人员：南基俊，J·D·波特，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。