一种内部电源产生电路制造技术

本发明专利技术提供了一种内部电源产生电路，包括：第一内部电源产生电路，适于根据外部电源信号生成第一电源信号，所述第一内部电源产生电路包括NMOS管，所述第一电源信号电压低于外部电源电压至少一个NMOS的阈值电压；升压单元，适于将第一电源信号进行升压处理，输出升压信号，所述升压信号电压高于所述第一电源信号电压至少一个NMOS管的阈值电压；自启动反馈电路，适于根据升压信号以及外部电源信号生成输出电压信号，在输出电压信号达到目标电压之前，所述输出电压信号跟随外部电源信号的大小，并在输出电压信号达到目标电压之后，所述输出电压信号保持目标电压的大小。本发明专利技术实施例提供的内部电源产生电路，其输出电压能够跟随外部电源。

【技术实现步骤摘要】
一种内部电源产生电路
本专利技术涉及电子电路
，具体涉及一种内部电源产生电路。
技术介绍
目前，芯片内部电路的低压供电电源一般是通过内部电源产生电路对外部电源进行变压和稳压到目标电压实现。然而现有的内部电源产生电路在外部电源电压较低时，输出电压比较低，无法使内部电路正常工作。因此，需要一种新的内部电源产生电路。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题为：采用NMOS晶体管产生芯片内部电源时，输出电压相对于外部电源存在NMOS晶体管阈值损耗的问题。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种内部电源产生电路，包括：第一内部电源产生电路，适于根据外部电源信号生成第一电源信号，所述第一内部电源产生电路包括NMOS管，所述第一电源信号电压低于外部电源电压至少一个NMOS的阈值电压；升压单元，适于将第一电源信号进行升压处理，输出升压信号，所述升压信号电压高于所述第一电源信号电压至少一个NMOS管的阈值电压；自启动反馈电路，适于根据升压信号以及外部电源信号生成输出电压信号，在输出电压信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内部电源产生电路，适于向内部电路提供目标电压，包括：/n第一内部电源产生电路，适于根据外部电源信号生成第一电源信号，所述第一内部电源产生电路包括NMOS管，所述第一电源信号电压低于外部电源电压至少一个NMOS的阈值电压；/n其特征在于，还包括：/n升压单元，适于将第一电源信号进行升压处理，输出升压信号，所述升压信号电压高于所述第一电源信号电压至少一个NMOS管的阈值电压；/n自启动反馈电路，适于根据升压信号以及外部电源信号生成输出电压信号，在输出电压信号达到目标电压之前，所述输出电压信号跟随外部电源信号的大小，并在输出电压信号达到目标电压之后，所述输出电压信号保持目标电压的大小。/n

【技术特征摘要】
1.一种内部电源产生电路，适于向内部电路提供目标电压，包括：
第一内部电源产生电路，适于根据外部电源信号生成第一电源信号，所述第一内部电源产生电路包括NMOS管，所述第一电源信号电压低于外部电源电压至少一个NMOS的阈值电压；
其特征在于，还包括：
升压单元，适于将第一电源信号进行升压处理，输出升压信号，所述升压信号电压高于所述第一电源信号电压至少一个NMOS管的阈值电压；
自启动反馈电路，适于根据升压信号以及外部电源信号生成输出电压信号，在输出电压信号达到目标电压之前，所述输出电压信号跟随外部电源信号的大小，并在输出电压信号达到目标电压之后，所述输出电压信号保持目标电压的大小。


2.如权利要求1所述的内部电源产生电路，其特征在于，所述自启动反馈电路包括：
自启动镜像电路，适于根据第一升压信号生成第一开启电压，所述第一开启电压在所述输出电压信号达到目标电压信号之前跟随第一升压信号的大小；
反馈输出模块，适于产生输出电压信号，在输出电压信号达到目标电压信号之前，所述输出电压信号跟随外部电源信号的电压大小，在输出电压信号达到目标电压信号之后，所述输出电压信号保持目标电压信号的大小。


3.如权利要求2所述的内部电源产生电路，其特征在于，还包括：
钳位二极管，适于在第一开启电压达到钳位二极管的钳位电压之后，对第一开启电压进行钳位。


4.如权利要求3所述的内部电源产生电路，其特征在于，所述目标电压的最大值等于所述钳位二极管的钳位电压减去NMOS晶体管的阈值电压。


5.如权利要求2所述的内部电源产生电路，其特征在于，所述自启动镜像电路包括：
自启支路，适于根据升压信号产生偏置电流；以及
偏置支路，适于根据所述升压信号和偏置电流，生成第一开启电压。


6.如权利要求5所述的内部电源产生电路，其特征在于，所述自启支路包括：
第二PMOS晶体管、第一JFET晶体管以及第二电阻；
所述第二PMOS晶体管的源极与所述升压单元的输出端耦接；
所述第二PMOS晶体管的栅极和漏极均与第一JFET晶体管的漏极耦接；
所述第一JFET晶体管的栅极接地，源极与第二电阻的第一端耦接，第二电阻的第二端接地。


7.如权利要求5所述的内部电源产生电路，其特征在于，所述偏置支路包括：
第一PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；
所述第一PMOS晶体管的源极与所述升压单元的输出端耦接，其栅极和第二PMOS晶体管的栅极耦接，其漏极和第二NMOS晶体管的漏极耦接；
所述第二NMOS晶体管的栅极和漏极短接并输出第一开启电压。


8.如权利要求2所述的内部电源产生电路，其特征在于，所述自启动镜像电路包括n型结型场效应管，所述n型结型场效应管的基极接地。


9.如权利要求2所述的内部电源产生电路，其特征在于，所述反馈输出模块包括：
输出模块，适于形成输出电压信号；
稳压模块，适于在所述输出电压信号达到目标电压之后，对所述输出电压信号进行稳压，使其保持在目标电压大小；以及
参考电压输出模块，适于提供参考电压。

【专利技术属性】
技术研发人员：管佳伟，史文婷，李海松，易扬波，张立新，
申请(专利权)人：无锡芯朋微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32