用于晶片级芯片封装的半导体结构和方法技术

实施例半导体结构(100)包含金属层(304)。所述半导体结构(100)还包含重布线层RDL结构(352和354)，所述结构包含RDL平台(352)和设置在所述RDL平台(352)与所述金属层(304)之间的多个RDL柱(354)。另外，所述半导体结构(100)包含设置在所述RDL平台(352)上的凸块下金属UBM层(392)，以及设置在所述UBM层(392)上的焊料凸块(102)，其中所述UBM层(392)、所述RDL平台(352)和所述RDL柱(354)在所述焊料凸块(102)与所述金属层(304)之间形成电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于晶片级芯片封装的半导体结构和方法本专利技术总体涉及半导体电路封装，更具体涉及用于晶片级芯片封装的半导体结构和方法。
技术介绍
在晶片级芯片封装(WCSP)中，芯片直接安装在板上。切割单个芯片，并且使用凸块连接将芯片直接安装在板上而不进行封装。
技术实现思路
实例半导体结构包含金属层。半导体结构还包含重布线层(RDL)结构，所述结构包含RDL平台和设置在RDL平台与金属层之间的多个RDL柱。另外，半导体结构包含设置在RDL平台上的凸块下金属(UBM)层和设置在UBM层上的焊料凸块，其中UBM层、RDL平台和RDL柱形成焊料凸块与金属层之间的电连接。实例半导体结构包含重布线层(RDL)结构，所述结构包含RDL平台和支撑所述RDL平台的多个RDL柱。半导体结构还包含在多个RDL柱之间并且在RDL平台的第一侧上的第一聚酰亚胺层和在RDL平台的第二侧上的第二聚酰亚胺层，RDL平台的第二侧与RDL平台的第一侧相对。形成半导体结构的实例方法包含在晶片上沉积金属层和在金属层上形成聚酰亚胺层。所述方法还包含在聚酰亚胺层中形成柱开口，并在柱开口中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其包括：/n金属层；/n重布线层RDL结构，其包括：/nRDL平台；/n设置在所述RDL平台与所述金属层之间的多个RDL柱；/n设置在所述RDL平台上的凸块下金属UBM层；以及/n设置在所述UBM层上的焊料凸块，其中所述UBM层、所述RDL平台和所述RDL柱在所述焊料凸块与所述金属层之间形成电连接。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180615 US 16/009,3771.一种半导体结构，其包括：
金属层；
重布线层RDL结构，其包括：
RDL平台；
设置在所述RDL平台与所述金属层之间的多个RDL柱；
设置在所述RDL平台上的凸块下金属UBM层；以及
设置在所述UBM层上的焊料凸块，其中所述UBM层、所述RDL平台和所述RDL柱在所述焊料凸块与所述金属层之间形成电连接。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个RDL柱是至少四个柱。


3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述多个RDL柱是至少八个柱。


4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述焊料凸块与所述金属层之间的所述电连接具有小于2.5mohm的电阻。


5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述焊料凸块与所述金属层之间的所述电连接支持10A的电流。


6.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括：
与所述金属层相邻的衬底的第一侧。


7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中所述衬底包括功率晶体管。


8.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括：
设置在所述多个RDL柱之间的第一聚酰亚胺层，所述第一聚酰亚胺层在所述RDL平台与所述金属层之间；以及
所述第一聚酰亚胺层上方的第二聚酰亚胺层。


9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述RDL平台和所述多个RDL柱包括铜。


10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个RDL柱中的柱具有圆形横截面。


11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述RDL平台具有圆形横截面。


12.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个RDL柱中的第一柱与所述多个RDL柱中的第二柱之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·W·兰穆图，M·K·贾因，T·S·保尔森，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US