半导体封装结构及其制作方法技术

一种半导体封装结构及其制作方法，其方法包括在半导体芯片的第一表面或第二表面沉积预设厚度的第一金属；使一个半导体芯片上的第一金属与另一个半导体芯片上的第一金属串联接触；将接触后的半导体芯片放置在真空环境中，控制温度参数，使相接触的第一金属熔合在一起，形成合金接触层；将通过合金接触层相连接的多个半导体芯片进行封装。由于在制作过程中，使用的是沉积和真空合金的方法将两个或多个半导体芯片连接起来，并且两个金属接触面熔合形成合金接触层连接更加牢固和均匀，利于电流和热量以及应力的均匀性，提高了多芯片产品的通电流能力及质量稳定性，并且通过此种方法制造的半导体器件中不含铅，便于生产制作无铅绿色环保的器件。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体应用
，具体涉及一种半导体结构及其制作方法。
技术介绍
随着电子应用技术的不断发展，电子电路的集成度越来越高，集成电路板上的空间越来越有限，二极管所需承受的反向工作电压越来越高。但二极管内部PN结所能承受的电压有限，因此需要采用两只或以上二极管串联分压的模式来实现。在此基础上，若将两个或以上二极管通过内串或并联的方式集成到一个产品里，则可以有效的减少空间。现有技术中，将两个或以上二极管通过内串或并联的方式集成到一个产品里时，主要方法是使用锡铅银或锡铅合金焊料，把多个二极管芯片焊接串联在一起。但是，此种焊接的方式在制作过程中往往会出现焊锡偏位、溢锡、锡珠、焊接气孔等焊接异常的情况，或者是焊接时常常造成芯片的损伤，导致芯片性能出现问题，甚至报废的情况，以至于所制造的产品质量不稳定；而且锡铅焊料的铅含量达92.5%，铅为重金属，对人体及环境有害，在生产制作过程中还需要花费大量的成本降低对环境的危害。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术中需要将多个二极管集成在一个产品时，由于焊接异本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括：/n提供至少两个半导体芯片，所述半导体芯片具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面用于与另一半导体芯片连接，所述第二表面用于外接引线；/n在所述半导体芯片的第一表面沉积预设厚度的第一金属；/n使一个半导体芯片的第一表面上的第一金属与另一个半导体芯片的第一表面上的第一金属接触；/n将接触后的半导体芯片放置在真空环境中，控制温度参数，使相互接触的第一金属熔合在一起，形成合金接触层，从而使至少两个半导体芯片连接在一起；/n将通过合金接触层相连接的多个半导体芯片进行封装。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供至少两个半导体芯片，所述半导体芯片具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面用于与另一半导体芯片连接，所述第二表面用于外接引线；
在所述半导体芯片的第一表面沉积预设厚度的第一金属；
使一个半导体芯片的第一表面上的第一金属与另一个半导体芯片的第一表面上的第一金属接触；
将接触后的半导体芯片放置在真空环境中，控制温度参数，使相互接触的第一金属熔合在一起，形成合金接触层，从而使至少两个半导体芯片连接在一起；
将通过合金接触层相连接的多个半导体芯片进行封装。


2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属的熔点范围为200℃-520℃。


3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属包括铝、钛、镍、银或锡中任意一种或多种的金属合金。


4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，控制温度参数包括：控制温度为200℃-530℃。

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【专利技术属性】
技术研发人员：李晓锋，黄富强，
申请(专利权)人：浙江里阳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33