具有接触装置的功率半导体部件制造方法及图纸

本实用新型专利技术提出一种具有接触装置的功率半导体部件，在其具有法线方向的第一主侧上具有负载端子表面和带有控制端子表面边界的控制端子表面，接触装置为有第一和第二导电层以及介于之间的第一电绝缘层的叠层，第一导电层具有第一负载传导层和第一控制传导层，前者导电连接到负载端子表面，后者导电连接到控制端子表面，第二导电层具有第二负载传导层和第二控制传导层，第二控制传导层具有在法线方向上与控制端子表面对齐的第一部分、其控制传导子层边界在法线方向上的投影中相对于控制端子表面边界横向偏移的第二部分和连接第一和第二部分的第三部分，第一绝缘层具有在第一和第二负载传导层之间的第一导孔和在第一和第二控制传导层之间的第二导孔。

【技术实现步骤摘要】
具有接触装置的功率半导体部件
本技术描述了一种具有接触装置的功率半导体部件，其中功率半导体部件在其第一主侧上具有负载端子表面和控制端子表面。接触装置设计成布置在这些端子表面和标准连接装置之间。
技术介绍
DE102014117246A1公开了一种用于制造基板适配器的方法，该基板适配器特别用于接触半导体部件，该方法包括以下步骤：构造导电金属元件；用电绝缘材料，特别是塑料至少部分地包覆结构化金属元件，以及将接触材料施加到金属元件的第一侧。在功率半导体部件、特别是基于碳化硅(SiC)的功率半导体部件的各种应用中，很难以使得用于该目的的连接装置给负载端子表面提供足够的载流能力的方式来连接上侧的端子表面。当使用新颖的连接装置、特别是基于薄膜技术的那些连接装置时，也可能难以构建到控制端子表面的连接，这取决于连接装置在表面上的位置。这适用于不同设计中的材料接合和力配合连接。
技术实现思路
考虑到现有技术，本技术的目的是提出一种具有接触装置的功率半导体部件，该接触装置在到连接装置的连接的特定构造中允许更大的自由度。根据本技术，该目的通过具有接触装置的功率半导体部件来实现，其中功率半导体部件在其具有法线方向(normaldirection)的第一主侧上具有负载端子表面和具有控制端子表面边界的控制端子表面，其中接触装置设置为叠层，叠层为具有第一导电层和第二导电层以及置于之间的第一电绝缘层，其中第一导电层具有第一负载传导层和第一控制传导层，其中第一负载传导层连接到负载端子表面，并且第一控制传导层连接到控制端子表面，其都是导电的连接，其中第二导电层具有第二负载传导层和第二控制传导层，第二控制传导层具有第一部分、第二部分和第三部分，第一部分在法线方向上与控制端子表面对齐，第二部分的控制传导子层边界在法线方向上的投影中相对于控制端子表面边界横向偏移，第三部分连接第一部分和第二部分，并且其中第一绝缘层在第一负载传导层和第二负载传导层之间具有第一导孔，并且在第一控制传导层和第二控制传导层之间具有第二导孔。在这种布置中，在法线方向上的投影中控制端子表面边界和第二控制传导子层边界不重叠则是有利的。在法线方向上的投影中在第二控制传导层的区域中没有布置第一导孔，则也是有利的。可以优选地，第二电绝缘层直接或间接布置在第二导电层上，并且第三导电层布置在所述绝缘层上，第三导电层具有第三负载传导层和第三控制传导层，第三控制传导层具有第三控制传导子层边界，其中该第三控制传导子层边界在法线方向上与第二控制传导层的第二部分对齐，并且其中第二绝缘层在第二负载传导层和第三负载传导层之间具有第三导孔以及在第二和第三控制传导层之间具有第四导孔。在法线方向N上的投影中，控制端子表面边界和第三控制传导子层边界不重叠，则可能是有利的。在一个实施例中，在法线方向上的投影中，第四导孔没有布置在第二控制传导层的区域中，则可能是有利的。作为上述的替代，如果第二电绝缘层和第三导电层形成为连接装置的部分，则可能是有利的，连接装置在所述功率半导体部件与另一功率半导体部件或基板的另一导体轨迹之间。原则上优选将导电层形成为金属膜并且将电绝缘层形成为塑料膜。第一负载传导层与负载端子表面之间、以及第一控制传导层与控制端子表面之间的导电连接在每种情况下形成为材料接合或力配合连接，则也可能是有利的。接触装置具有固定装置，该固定装置通过局部粘合的粘接剂接合牢固地接合到功率半导体部件或基板，则是优选的。如果固定装置设计为第一电绝缘层的一部分，则也是优选的。最后，固定装置在法线方向上的投影中布置在功率半导体部件的角区域中，则可能是有利的。当然，只要没有明确或固有地排除或不与本技术的构思相抵触，则在根据本技术的接触装置中可以不止一次地存在以单数形式指代的每个特征或特征组，特别是相应导孔。不言而喻，本技术的各种实施例可以单独地或以任何组合的方式实现，以实现改进。特别地，在不脱离本技术范围的情况下，以上特征和以下提到的那些特征不仅可以指定的组合来应用，而且可以其他组合或单独地应用。本技术公开了一种具有接触装置的功率半导体部件，功率半导体部件在其具有法线方向的第一主侧上具有负载端子表面和控制端子表面，控制端子表面具有控制端子表面边界，其中接触装置设计为叠层，该叠层具有第一导电层和第二导电层、以及置于之间的第一电绝缘层，其中第一导电层具有第一负载传导层和第一控制传导层，其中第一负载传导层连接到负载端子表面，第一控制传导层连接到控制端子表面，其都是导电的连接，其中第二导电层具有第二负载传导层和第二控制传导层，第二控制传导层具有第一部分、第二部分和第三部分，第一部分在法线方向上与控制端子表面对齐，第二部分的控制传导子层边界在法线方向上的投影中相对于控制端子表面边界横向偏移，第三部分连接第一部分和第二部分，并且其中第一绝缘层具有在第一负载传导层和第二负载传导层之间的第一导孔和在第一控制传导层和第二控制传导层之间的第二导孔。其中，在法线方向上的投影中，控制端子表面边界和第二控制传导子层边界不重叠。其中，在法线方向上的投影中，没有第一导孔布置在第二控制传导层的区域中。其中，第二电绝缘层直接或间接布置在第二导电层上，并且第三导电层布置在所述绝缘层上，第三导电层具有第三负载传导层和第三控制传导层，第三控制传导层具有第三控制传导子层边界，其中该第三控制传导子层边界在法线方向上与第二控制传导层的第二部分对齐，并且其中第二绝缘层具有在第二负载传导层和第三负载传导层之间的第三导孔和在第二控制传导层和第三控制传导层之间的第四导孔。其中，在法线方向上的投影中，控制端子表面边界和第三控制传导子层边界不重叠。其中，在法线方向上的投影中，第四导孔没有布置在第二控制传导层的区域中。其中，在所述功率半导体部件与另一功率半导体部件之间或所述功率半导体部件与基板的另一导体轨迹之间，第二电绝缘层和第三导电层形成为连接装置的部分。其中，导电层形成为金属膜并且电绝缘层形成为塑料膜。其中，第一负载传导层与负载端子表面之间、以及第一控制传导层与控制端子表面之间的导电连接均形成为材料接合或力配合连接。其中，接触装置具有固定装置，该固定装置通过局部粘合的粘接剂接合而牢固地接合到功率半导体部件或基板。其中，固定装置设计为第一电绝缘层的一部分。其中，在法线方向上的投影中，固定装置布置在功率半导体部件的角区域中。附图说明本技术的进一步的解释说明、有利的细节和特征从在图1至图7中示意性示出的本技术示例性实施例的下面描述或其相关部分中得出。图1示出了具有根据本技术的具有接触装置的功率半导体部件的装置的分解视图。图2示出了根据本技术的功率半导体部件的五层接触装置的不同层的示意性截面图。图3示出了根据本技术的功率半导体部件的五层接触装置的第一实施例的截面图。图4示出了根据本技术的功率半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有接触装置(3)的功率半导体部件(2)，其特征在于，所述功率半导体部件在其具有法线方向(N)的第一主侧(200)上具有负载端子表面(20)和控制端子表面(22)，控制端子表面(22)具有控制端子表面边界(220)，其中接触装置(3)设计为叠层，该叠层具有第一导电层(31)和第二导电层(32)、以及置于之间的第一电绝缘层(41)，其中第一导电层(31)具有第一负载传导层(310)和第一控制传导层(312)，其中第一负载传导层(310)连接到负载端子表面(20)，第一控制传导层(312)连接到控制端子表面(22)，其都是导电的连接，其中第二导电层(32)具有第二负载传导层(320)和第二控制传导层(322)，第二控制传导层(322)具有第一部分(3220)、第二部分(3224)和第三部分(3222)，第一部分(3220)在法线方向(N)上与控制端子表面(22)对齐，第二部分(3224)的控制传导子层边界(3226)在法线方向(N)上的投影中相对于控制端子表面边界(220)横向偏移，第三部分(3222)连接第一部分(3220)和第二部分(3224)，并且其中第一电绝缘层(41)具有在第一负载传导层(310)和第二负载传导层(320)之间的第一导孔(410)和在第一控制传导层(312)和第二控制传导层(322)之间的第二导孔(412)。/n...

【技术特征摘要】
20190513 DE 102019112477.81.一种具有接触装置(3)的功率半导体部件(2)，其特征在于，所述功率半导体部件在其具有法线方向(N)的第一主侧(200)上具有负载端子表面(20)和控制端子表面(22)，控制端子表面(22)具有控制端子表面边界(220)，其中接触装置(3)设计为叠层，该叠层具有第一导电层(31)和第二导电层(32)、以及置于之间的第一电绝缘层(41)，其中第一导电层(31)具有第一负载传导层(310)和第一控制传导层(312)，其中第一负载传导层(310)连接到负载端子表面(20)，第一控制传导层(312)连接到控制端子表面(22)，其都是导电的连接，其中第二导电层(32)具有第二负载传导层(320)和第二控制传导层(322)，第二控制传导层(322)具有第一部分(3220)、第二部分(3224)和第三部分(3222)，第一部分(3220)在法线方向(N)上与控制端子表面(22)对齐，第二部分(3224)的控制传导子层边界(3226)在法线方向(N)上的投影中相对于控制端子表面边界(220)横向偏移，第三部分(3222)连接第一部分(3220)和第二部分(3224)，并且其中第一电绝缘层(41)具有在第一负载传导层(310)和第二负载传导层(320)之间的第一导孔(410)和在第一控制传导层(312)和第二控制传导层(322)之间的第二导孔(412)。


2.根据权利要求1所述的具有接触装置的功率半导体部件，其特征在于，在法线方向(N)上的投影中，控制端子表面边界(220)和第二控制传导子层边界(3226)不重叠。


3.根据权利要求1或2所述的具有接触装置的功率半导体部件，其特征在于，在法线方向(N)上的投影中，没有第一导孔(410)布置在第二控制传导层(322)的区域中。


4.根据权利要求1所述的具有接触装置的功率半导体部件，其特征在于，
第二电绝缘层(42)直接或间接布置在第二导电层(32)上，并且第三导电层(33)布置在所述绝缘层上，第三导电层(33)具有第三负载传导层(330)和第三控制传导层(332)，第三控制传导层(332)具有第三控制传导子层边界...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·戈贝尔，N·科尔布，
申请(专利权)人：赛米控电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：德国;DE