【技术实现步骤摘要】
具有接触装置的功率半导体部件
本技术描述了一种具有接触装置的功率半导体部件，其中功率半导体部件在其第一主侧上具有负载端子表面和控制端子表面。接触装置设计成布置在这些端子表面和标准连接装置之间。
技术介绍
DE102014117246A1公开了一种用于制造基板适配器的方法，该基板适配器特别用于接触半导体部件，该方法包括以下步骤：构造导电金属元件；用电绝缘材料，特别是塑料至少部分地包覆结构化金属元件，以及将接触材料施加到金属元件的第一侧。在功率半导体部件、特别是基于碳化硅(SiC)的功率半导体部件的各种应用中，很难以使得用于该目的的连接装置给负载端子表面提供足够的载流能力的方式来连接上侧的端子表面。当使用新颖的连接装置、特别是基于薄膜技术的那些连接装置时，也可能难以构建到控制端子表面的连接，这取决于连接装置在表面上的位置。这适用于不同设计中的材料接合和力配合连接。
技术实现思路
考虑到现有技术，本技术的目的是提出一种具有接触装置的功率半导体部件，该接触装置在到连接装置的连接的特定构造中允许更大的自由度。<...
【技术保护点】
1.一种具有接触装置(3)的功率半导体部件(2)，其特征在于，所述功率半导体部件在其具有法线方向(N)的第一主侧(200)上具有负载端子表面(20)和控制端子表面(22)，控制端子表面(22)具有控制端子表面边界(220)，其中接触装置(3)设计为叠层，该叠层具有第一导电层(31)和第二导电层(32)、以及置于之间的第一电绝缘层(41)，其中第一导电层(31)具有第一负载传导层(310)和第一控制传导层(312)，其中第一负载传导层(310)连接到负载端子表面(20)，第一控制传导层(312)连接到控制端子表面(22)，其都是导电的连接，其中第二导电层(32)具有第二负载传...
【技术特征摘要】
20190513 DE 102019112477.81.一种具有接触装置(3)的功率半导体部件(2)，其特征在于，所述功率半导体部件在其具有法线方向(N)的第一主侧(200)上具有负载端子表面(20)和控制端子表面(22)，控制端子表面(22)具有控制端子表面边界(220)，其中接触装置(3)设计为叠层，该叠层具有第一导电层(31)和第二导电层(32)、以及置于之间的第一电绝缘层(41)，其中第一导电层(31)具有第一负载传导层(310)和第一控制传导层(312)，其中第一负载传导层(310)连接到负载端子表面(20)，第一控制传导层(312)连接到控制端子表面(22)，其都是导电的连接，其中第二导电层(32)具有第二负载传导层(320)和第二控制传导层(322)，第二控制传导层(322)具有第一部分(3220)、第二部分(3224)和第三部分(3222)，第一部分(3220)在法线方向(N)上与控制端子表面(22)对齐，第二部分(3224)的控制传导子层边界(3226)在法线方向(N)上的投影中相对于控制端子表面边界(220)横向偏移，第三部分(3222)连接第一部分(3220)和第二部分(3224)，并且其中第一电绝缘层(41)具有在第一负载传导层(310)和第二负载传导层(320)之间的第一导孔(410)和在第一控制传导层(312)和第二控制传导层(322)之间的第二导孔(412)。
2.根据权利要求1所述的具有接触装置的功率半导体部件，其特征在于，在法线方向(N)上的投影中，控制端子表面边界(220)和第二控制传导子层边界(3226)不重叠。
3.根据权利要求1或2所述的具有接触装置的功率半导体部件，其特征在于，在法线方向(N)上的投影中，没有第一导孔(410)布置在第二控制传导层(322)的区域中。
4.根据权利要求1所述的具有接触装置的功率半导体部件，其特征在于，
第二电绝缘层(42)直接或间接布置在第二导电层(32)上，并且第三导电层(33)布置在所述绝缘层上，第三导电层(33)具有第三负载传导层(330)和第三控制传导层(332)，第三控制传导层(332)具有第三控制传导子层边界...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·戈贝尔，N·科尔布，
申请(专利权)人：赛米控电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：德国;DE
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