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一种半导体封装结构及其制作方法，其方法包括在半导体芯片的第一表面或第二表面沉积预设厚度的第一金属；使一个半导体芯片上的第一金属与另一个半导体芯片上的第一金属串联接触；将接触后的半导体芯片放置在真空环境中，控制温度参数，使相接触的第一金属熔合...
该专利属于浙江里阳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江里阳半导体有限公司授权不得商用。

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