【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有与半导体区耦合的含金属区的集成组合件
具有与半导体区耦合的含金属区的集成组合件；例如举例来说，具有带有与含金属区耦合的源极/漏极区的晶体管的组合件。
技术介绍
集成组合件通常包括从金属到半导体材料的电接触件。不幸的是，沿着金属与半导体材料之间的界面可能遇到有问题的电阻。如果此电阻(在本文中被称为“接触电阻”)太高，那么此可能导致非期望操作特性；包含例如非期望加热、过多功率需求、缓慢装置响应等中的一或多者。因此，期望开发出减小接触电阻的配置。附图说明图1及2是实例集成组合件的区的图解性横截面侧视图。图3是展示潜在问题的实例集成组合件的区的图解性横截面侧视图。图4展示在可减轻图3中所展示的潜在问题的工艺阶段的集成组合件的图解性横截面侧视图。图5到11是实例集成组合件的区的图解性横截面侧视图。图11A是沿着图11的线A-A的图解性横截面俯视图。图12是包括实例DRAM单元的实例集成组合件的区的图解性横截面侧视图。图13是实例DRAM单元的示意性说明。
【技术保护点】
1.一种集成组合件，其包括：/n半导体材料，其具有表面，所述半导体材料包括硅及锗中的一或两者；/n第一金属，其与所述表面相邻且与所述表面隔开达小于或等于约
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180824 US 16/112,3331.一种集成组合件，其包括：
半导体材料，其具有表面，所述半导体材料包括硅及锗中的一或两者；
第一金属，其与所述表面相邻且与所述表面隔开达小于或等于约的距离；
在所述第一金属与所述表面之间不存在金属硅化物或金属锗化物；及
含金属组合物，其与所述第一金属相邻且直接抵靠所述第一金属；所述含金属组合物包含与非金属组合的第二金属。
2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述半导体材料包括硅。
3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述半导体材料包括锗。
4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述半导体材料用导电性增强掺杂剂掺杂到至少约1×1020个原子/cm3的浓度。
5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述半导体材料用导电性增强掺杂剂掺杂到不大于约1×1015个原子/cm3的浓度。
6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述半导体材料用导电性增强掺杂剂掺杂到不大于约1×1012个原子/cm3的浓度。
7.根据权利要求1所述的集成组合件，其包括与所述第一金属相邻的氧势垒材料，且包括在所述氧势垒材料的与所述第一金属相对的侧上的二氧化硅。
8.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述氧势垒材料包括氮化硅。
9.根据权利要求8所述的集成组合件，其中所述氧势垒材料直接抵靠所述第一金属。
10.根据权利要求8所述的集成组合件，其中所述氧势垒材料通过金属氧化物而与所述第一金属隔开。
11.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述含金属组合物包括金属氮化物。
12.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一金属及所述第二金属选自由Ti、Mg、Zr、Hf及Ni组成的群组。
13.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述第一金属及所述第二金属是相对于彼此不同的金属。
14.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述第一金属及所述第二金属是彼此相同的金属。
15.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述第一金属及所述第二金属均是钛。
16.根据权利要求15所述的集成组合件，其中所述含金属组合物包括氮化钛。
17.根据权利要求1所述的集成组合件，其包括在所述表面与所述第一金属之间的层；所述层含有氧及第三金属。
18.根据权利要求17所述的集成组合件，其中所述层包括AlO、TaO、TiO及SrTiO中的一或多者；其中所述化学式指示主要成分而非特定化学计量。
19.根据权利要求17所述的集成组合件，其中所述第一金属及所述第三金属是彼此相同的金属。
20.根据权利要求19所述的集成组合件，其中所述第一金属及所述第三金属均是钛。
21.根据权利要求1所述的集成组合件，其包括在所述第一金属与所述表面之间的界面区；所述界面区包含Se及Te中的一或两者。
22.根据权利要求21所述的集成组合件，其中所述界面区包含沿着所述第一金属的不连续层；其中所述不连续层包含Se及Te中的所述一或两者。
23.根据权利要求21所述的集成组合件，其中所述界面区包含沿着所述第一金属的连续层；其中所述层包含Se及Te中的所述一或两者。
24.一种集成组合件，其包括：
半导体材料，其具有表面；
第一层，其在所述表面上方且直接抵靠所述表面；所述第一层具有在从至少约一个单层到小于或等于约的范围内的厚度；所述第一层包括氧及第一金属；氧与所述第一金属的相对量小于或等于足以遍及所述第一层形成化学计量的金属氧化物的量；
第二金属，其在所述第一层上且直接抵靠所述第一层；及
第二层，其在所述第二金属上方且直接抵靠所述第二金属；所述第二层包括氮及第三金属。
25.根据权利要求24所述的集成组合件，其中所述第一层形成向上敞开的容器形状，且其中所述第二金属及所述第二层经容纳在所述向上敞开的容器形状内。
26.根据权利要求24所述的集成组合件，其包括在所述第二金属与所述第一层之间的界面区；所述界面区包含Se及Te中的一或两者。
27.根据权利要求24所述的集成组合件，其中在所述第一层内所述氧与所述第一金属的所述相对量小于足以遍及所述第一层形成化学计量的金属氧化物的量。
28.根据权利要求24所述的集成组合件，其中所述第一层包括AlO、TaO、TiO及SrTiO中的一或多者；其中所述化学式指示主要成分而非特定化学计量。
29.根据权利要求24所述的集成组合件，其中所述半导体材料包括硅及/或锗，且用导电性增强掺杂剂掺杂到至少约1×1020个原子/cm3的浓度。
30.根据权利要求24所述的集...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏密特·C·潘迪，古尔特杰·S·桑胡，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。