一种半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种半导体结构及其制备方法，所述制备方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成金属层，所述金属层包括并排设置在所述衬底上的多个金属凸起，相邻所述金属凸起与所述衬底之间形成一间隙；在所述金属层上形成第一材料层，所述第一材料层填充所述间隙，所述第一材料层与金属层交界面的水平延长线最低点不低于所述金属层的水平最高点；在所述第一材料层上形成第二材料层；对所述第二材料层的表面进行平坦化处理，并暴露所述第一材料层；在暴露的所述第一材料层上形成第三材料层。本发明专利技术解决了晶圆钝化层在化学机械研磨过程中缺陷进一步扩展，产品良率底的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制备方法
本专利技术属于半导体
，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
随着集成电路的制作向超大规模集成电路(ULSI：UltraLarge-ScaleIntegration)发展，晶片上的电路密度越来越大，晶片上所含元件数量不断增加，晶片表面已无法提供足够的面积来制作所需的互连结构(Interconnect)。为此，提出了两层以上的多层互连结构的设计方法。所述设计方法通过刻蚀层间介质层形成沟槽或通孔，并在所述沟槽和通孔中填充导电材料来实现芯片内的多层电互连。形成互连结构后，为实现芯片与外部电路之间的电连(bonding)，还需要在晶片表面形成焊盘(pad)，所述焊盘与互连结构电连接。目前半导体器件或集成电路的制作焊盘的一种常用的方法是，在晶片最上面的顶层金属上生长钝化层，起到防潮防污染防静电，保护内部电路的作用，再将钝化层进行部分刻蚀以暴露出所述顶层金属的一部分，以形成焊盘，用于键合引线，以便与其它器件或集成电路相连。现有的钝化层表面需要使用化学机械研磨法使钝化层的表面变的平坦，从而使晶圆表面外观一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：/n提供一衬底；/n在所述衬底上形成金属层，所述金属层包括并排设置在所述衬底上的多个金属凸起，相邻所述金属凸起与所述衬底之间形成一间隙；/n在所述金属层上形成第一材料层，所述第一材料层填充所述间隙，所述第一材料层与所述金属层的交界面的水平延长线的最低点不低于所述金属层的水平最高点；/n在所述第一材料层上形成第二材料层；/n对所述第二材料层的表面进行平坦化处理，并暴露所述第一材料层；/n在暴露的所述第一材料层上形成第三材料层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上形成金属层，所述金属层包括并排设置在所述衬底上的多个金属凸起，相邻所述金属凸起与所述衬底之间形成一间隙；
在所述金属层上形成第一材料层，所述第一材料层填充所述间隙，所述第一材料层与所述金属层的交界面的水平延长线的最低点不低于所述金属层的水平最高点；
在所述第一材料层上形成第二材料层；
对所述第二材料层的表面进行平坦化处理，并暴露所述第一材料层；
在暴露的所述第一材料层上形成第三材料层。


2.根据权利要求1所述一种半导体结构制备方法，其特征在于，所述第一材料层通过高密度等离子沉积方法获得。


3.根据权利要求1所述一种半导体结构制备方法，其特征在于，所述第二材料层为聚合物层。


4.根据权利要求3所述一种半导体结构制备方法，其特征在于，所述聚合物层为正硅酸乙酯。


5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍丙辉，曲厚任，李倩娣，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11