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具有与半导体区耦合的含金属区的集成组合件制造技术
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下载具有与半导体区耦合的含金属区的集成组合件的技术资料
文档序号:26772431
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一些实施例包含一种具有带有表面的半导体材料的集成组合件。第一层在所述表面上方且直接抵靠所述表面。所述第一层包含氧及第一金属。氧与所述第一金属的相对量小于或等于足以遍及所述第一层形成化学计量的金属氧化物的量。第二金属在所述第一层上方且直接抵靠...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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