【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制备多晶硅的方法本专利技术涉及一种用于在化学气相沉积反应器中制备多晶硅的方法，其中，在反应器外部的至少一个反应器部件中的至少一个位置，使用测量装置测量反应器的振动，并且任选地记录该振动。本专利技术还提供了一种反应器，特别用于实施该方法。多晶体硅(多晶硅)在例如通过坩埚提拉法(直拉法)或区域熔融法(悬浮区法)的单晶硅的生产中用作原始材料。单晶硅可以被锯成薄片(晶片)，并且在多个进一步的处理步骤之后，可以用于半导体工业中制造电子元件(芯片)。多晶硅在例如通过块铸造工艺的多晶硅的生产中也是原始材料。以块状形式获得的多晶硅可用于制造太阳能电池。多晶硅可以通过西门子法——化学气相沉积法获得。这包括在钟形反应器(西门子反应器)中通过电流的直接通电来加热支撑体(通常由多晶硅组成)，并引入包含含硅组分和氢气的反应气体。含硅组分通常是硅烷(SiH4)或具有一般组成SiHnX4-n(n＝0,1,2,3；X＝Cl,Br,I)的卤代硅烷；含硅组分典型地是氯硅烷或氯硅烷混合物，通常是三氯硅烷(SiHCl3、TCS)。主要地，SiH4或SiHCl3与氢气混合使用。典...
【技术保护点】
1.用于制备多晶硅的方法，其包括：将含有氢和硅烷和/或卤代硅烷的反应气体引入化学气相沉积反应器的反应空间中，其中所述反应空间包括至少一个经加热的支撑体，元素硅通过化学气相沉积法沉积在所述支撑体上以形成多晶硅，其中，在所述反应空间外，在至少一个反应器部件的至少一个位置处，使用测量装置测量所述反应器的振动，并且任选地记录所述振动。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.用于制备多晶硅的方法，其包括：将含有氢和硅烷和/或卤代硅烷的反应气体引入化学气相沉积反应器的反应空间中，其中所述反应空间包括至少一个经加热的支撑体，元素硅通过化学气相沉积法沉积在所述支撑体上以形成多晶硅，其中，在所述反应空间外，在至少一个反应器部件的至少一个位置处，使用测量装置测量所述反应器的振动，并且任选地记录所述振动。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述振动是所述反应器部件的结构传声。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述振动是空气载声。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述测量装置包括至少一个加速传感器和/或至少一个麦克风。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述反应器部件选自以下组中：反应器外壳、底板、气体供应导管或气体去除导管以及电极夹。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述测量装置包括记录系统。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述测量装置连接到过程控制站。
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