硅微粒及其制造方法技术

提供：可有效地防止氧化、具有接近非晶的微晶直径的硅微粒。本发明专利技术的硅微粒的特征在于，一次颗粒的平均直径为30～900nm，微晶直径低于10nm，氯浓度处于1～10质量％，氧浓度(C

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅微粒及其制造方法
本专利技术涉及新型的硅微粒及其制造方法。详细而言，提供：含有微量的氯且氧量被控制在规定的范围内的、具有特定的一次粒径和微晶直径的硅微粒及该微粒的制造方法。
技术介绍
目前，硅正用于以锂离子二次电池的电极材料(负极材料)为首的各种用途中，或者提出了其应用。以往，锂离子电池的负极材料通常使用石墨、石墨等碳系材料，但理论容量较低，为372mAh/g(锂化至LiC6的情况)，期望更高容量的负极材料。硅与碳材料相比，每单位质量的锂的吸储量大，理论容量达到非常高容量的3579mAh/g(锂化至Li15Si4的情况)，正在研究作为下一代的负极材料。作为将硅用作锂离子二次电池的负极材料时的课题，可列举出：硅与锂形成合金并吸储锂时的体积膨胀大，由于由充放电所致的膨胀收缩的反复发生，应变能蓄积于内部使硅微细地断裂并产生孔隙，丧失导电性、离子传导性，由此使负极的充电容量降低。针对该课题，已知：若将硅微粒化，则在膨胀收缩时硅微粒不易发生断裂，能够提高耐久性。(非专利文献1)硅作为与锂构成较弱的共价键的充放电位点发挥作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅微粒，其特征在于，/n一次颗粒的平均直径为30～900nm，/n微晶直径低于10nm，/n氯浓度处于1～10质量％，/n氧浓度(C

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180518 JP 2018-0960671.一种硅微粒，其特征在于，
一次颗粒的平均直径为30～900nm，
微晶直径低于10nm，
氯浓度处于1～10质量％，
氧浓度(Co：质量％)与比表面积(S：m2/g)之比(Co/S)低于0.05。


2.一种硅微粒的制造方法，其特征在于，在反应器内，将包含三氯硅烷的气体加热至600～950℃的温度，使三氯硅烷热分解而生成含氯的硅微粒前体...

【专利技术属性】
技术研发人员：望月直人，石田晴之，有行正男，福原浩二，
申请(专利权)人：株式会社德山，
类型：发明
国别省市：日本;JP