一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，属于半导体技术领域，一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，本方案通过将水和双载传递动子内的二氧化碳同时做为热量载体，随着双载传递动子的上下移动，将热量传递给热源收集箱内的水，既能提高对能量的可持续利用，同时细沙内的水积累到一定的程度滴落后，被已经下沉的双载传递动子包括其表面的变色硅胶吸收，对液态水的回流进行限制，减少液态水的再次进入浓盐酸内，并随着双载传递动子在反应载板和过滤网框之间持续的上下移动，逐渐降低浓盐酸的含水量会，从而提高了硅和氯化氢合成为三氯化硅的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺
本专利技术涉及半导体
，更具体地说，涉及一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺。
技术介绍
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的，大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。现有技术中大多数的半导体产品是通过硅制造的，硅是一种化学元素，它的化学符号是Si，旧称矽，原子序数14，相对原子质量28.0855，有无定形硅和晶体硅两种同素异形体，属于元素周期表上第三周期，IVA族的类金属元素，硅也是极为常见的一种元素，然而它极少以单质的形式在自然界出现，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式，广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中，硅在宇宙中的储量排在第八位，在地壳中，它是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，其特征在于：包括以下流程：/nS1、将废弃的半导体硅片放置在高效反应装置内与浓盐酸溶液反应，通过高效反应装置持续减少浓盐酸的水含量，快速得到三氯氢硅以及四氯化硅或二氯氢硅等氯硅烷等其他杂质的混合溶液；/nS2、对步骤S1中得到的混合溶液进行收集，并通过精馏技术对其进行分离提纯，从而得到提纯后的三氯氢硅；/nS3、用氢作为还原剂还原步骤S2中的提纯的三氯氢硅，使高纯硅淀积在1100～1200℃的热载体上。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，其特征在于：包括以下流程：
S1、将废弃的半导体硅片放置在高效反应装置内与浓盐酸溶液反应，通过高效反应装置持续减少浓盐酸的水含量，快速得到三氯氢硅以及四氯化硅或二氯氢硅等氯硅烷等其他杂质的混合溶液；
S2、对步骤S1中得到的混合溶液进行收集，并通过精馏技术对其进行分离提纯，从而得到提纯后的三氯氢硅；
S3、用氢作为还原剂还原步骤S2中的提纯的三氯氢硅，使高纯硅淀积在1100～1200℃的热载体上。


2.根据权利要求2所述的一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，特征在于：所述步骤S1中的高效反应装置包括气冲反应室(1)，所述气冲反应室(1)内填充有浓盐酸(2)，所述气冲反应室(1)内壁固定连接有位于浓盐酸(2)上侧的反应载板(3)，所述反应载板(3)底端嵌设有多个均匀分布的半导体硅片(4)，所述反应载板(3)内安装有多个均匀分布且位于半导体硅片(4)上侧的电热丝(5)，所述反应载板(3)上端开凿有多个与半导体硅片(4)间隔分布的气交换孔(6)，所述反应载板(3)上侧设有多个均匀分布的双载传递动子(7)，所述气冲反应室(1)内壁固定连接有位于双载传递动子(7)上侧的过滤网框(8)，所述过滤网框(8)内设有传递杆(10)和将传递杆(10)浸没的细沙(9)，所述细沙(9)的粒径为0.01㎜，所述气冲反应室(1)外端固定连接有热源收集箱(11)，所述传递杆(10)贯穿气冲反应室(1)和热源收集箱(11)。


3.根据权利要求3所述的一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，其特征在于：所述传递杆(10)外端固定连接有多个均匀分布且位于过滤网框(8)内的鼓动气囊(12)，所述过滤网框(8)上端设有吸水树脂层(13)，所述双载传递动子(7)外端固定连接有变色硅胶(14)。


4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴剑荣，
申请(专利权)人：吴剑荣，
类型：发明
国别省市：浙江;33