基于硅芯重新分相的72对棒多晶硅还原炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于硅芯重新分相的72对棒多晶硅还原炉，包括72对硅芯，72对硅芯设置为8组，每组中的硅芯串联连接；8组硅芯在还原炉底盘上按同心圆布置形成6个分布圆，最外层为第一分布圆，向内依次递增；第一组共10对硅芯和第二组共11对硅芯设置于第一分布圆上，第三组共13对硅芯和第四组共5对硅芯设置于第二分布圆上，第五组共10对硅芯和第六组共5对硅芯设置于第三分布圆上，第七组共9对硅芯设置于第四分布圆上，第八组的6对硅芯设置于第五分布圆上，3对硅芯设置于第六分布圆上。本实用新型专利技术将72对硅芯重新分相以减少跨圈，并在同一圈硅芯施加相同的电流，为其提供同强度的热量，以保证还原炉热场分布均衡，便于工艺控制。

【技术实现步骤摘要】
基于硅芯重新分相的72对棒多晶硅还原炉
本技术涉及多晶硅还原炉
，尤其涉及一种基于硅芯重新分相的72对棒多晶硅还原炉。
技术介绍
自改良西门子法进入国内以来，气相沉积反应器(还原炉)在国也开始了不断地改良优化，炉型从刚开始的9对棒到现在的72对棒甚至更大，不止是炉型在不断地创新，炉底盘的电极排列方式为了达到更理想的效果也在不断地优化改进，如正三角形、正六边形等等，但是对于现在我们所追求的大炉型，比如72对棒还原炉，采用现在常规的炉底盘电极分布方式(72对硅芯分为6组，每组12对，6圈布局，但硅芯跨圈布局)，以及传统的还原电源供电(六相电源供电)，在炉底盘规则分相的情况下，始终会造成同一相的多晶硅负载不在同一圈，多晶硅还原炉电源系统运行时，生长中的多晶硅产品质量受炉内温度影响很大，多晶硅负载不在同一圈时，同一相负载施加的电流产生的热量会为炉内同一圈多晶硅负载提供不同强度的热量，会导致炉内热场不均衡，不便于工艺控制。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提出一种基于硅芯重新分相的72对棒多晶硅还原炉，将72对硅芯重新分相以减少跨圈，并在同一圈硅芯施加相同的电流，为炉内同一圈硅芯提供同强度的热量，以保证还原炉热场分布均衡，以便于工艺控制，具体技术方案如下：一种基于硅芯重新分相的72对棒多晶硅还原炉，包括72对硅芯，所述72对硅芯设置为8组，每组中的硅芯串联连接；所述8组硅芯在还原炉底盘上按同心圆布置形成6个分布圆，最外层为第一分布圆，向内依次递增；第一组共10对硅芯和第二组共11对硅芯设置于第一分布圆上，第三组共13对硅芯和第四组共5对硅芯设置于第二分布圆上，第五组共10对硅芯和第六组共5对硅芯设置于第三分布圆上，第七组共9对硅芯设置于第四分布圆上，第八组共9对硅芯，其中6对硅芯设置于第五分布圆上，另外3对硅芯设置于第六分布圆上。进一步的，还包括多个高压击穿柜，所述多个高压击穿柜与硅芯电连接并向硅芯加载电压以进行击穿和维持。进一步的，所述高压击穿柜向同一组中的硅芯加载相同的击穿电压或维持电压。进一步的，还包括功率控制柜，所述功率控制柜与硅芯电连接，在每组硅芯被击穿后以恒定电流加热该组硅芯。本技术的有益效果在于：本技术将72对硅芯重新分相以减少跨圈，使传统的多处跨圈降低至1处，并在同一圈硅芯施加相同的电流，为炉内同一圈硅芯提供同强度的热量，以保证还原炉热场分布均衡，便于工艺控制。同时，可减少运行中热场突变导致的缺相和异常，延长正常生长周期，增加产能目标。附图说明图1是本技术的72对硅芯的电极布置图；附图标记：A1-第一组硅芯，B1-第三组硅芯，C1-第二组硅芯，D1-第四组硅芯，A2-第七组硅芯，B2-第五组硅芯，C2-第八组硅芯，D2-第六组硅芯；L-火线，N-零线。具体实施方式为了对本技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图说明本技术的具体实施方式。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术，即所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1本实施例提供了一种基于硅芯重新分相的72对棒多晶硅还原炉，包括72对硅芯，72对硅芯设置为8组，每组中的硅芯串联连接。这8组72对硅芯的电极布置图如图1所示，8组硅芯在还原炉底盘上按同心圆布置形成6个分布圆，最外层为第一分布圆，向内依次递增。第一组A1共10对硅芯和第二组C1共11对硅芯设置于第一分布圆上，第三组B1共13对硅芯和第四组D1共5对硅芯设置于第二分布圆上，第五组B2共10对硅芯和第六组D2共5对硅芯设置于第三分布圆上，第七组A2共9对硅芯设置于第四分布圆上，第八组C2共9对硅芯，其中6对硅芯设置于第五分布圆上，另外3对硅芯设置于第六分布圆上。需要说明的是，L、N分别表示火线和零线，L端是一相的开始，N端是一相的结束。具体的，该还原炉还设置有多个高压击穿柜，多个高压击穿柜与硅芯电连接并向硅芯加载电压以进行击穿和维持，高压击穿柜向同一组中的硅芯加载相同的击穿电压或维持电压。更为具体的，该还原炉还设置有功率控制柜，功率控制柜与硅芯电连接，在每组硅芯被击穿后以恒定电流加热该组硅芯。综上所述，本技术将72对硅芯重新分相以减少跨圈，并在同一圈硅芯施加相同的电流，为炉内同一圈硅芯提供同强度的热量，能保证还原炉热场分布均衡，便于工艺控制。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当理解本技术并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本技术的精神和范围，则都应在本技术所附权利要求的保护范围内。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是本技术使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是有线连接，也可以是无线连接。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于硅芯重新分相的72对棒多晶硅还原炉，其特征在于，包括72对硅芯，所述72对硅芯设置为8组，每组中的硅芯串联连接；所述8组硅芯在还原炉底盘上按同心圆布置形成6个分布圆，最外层为第一分布圆，向内依次递增；第一组共10对硅芯和第二组共11对硅芯设置于第一分布圆上，第三组共13对硅芯和第四组共5对硅芯设置于第二分布圆上，第五组共10对硅芯和第六组共5对硅芯设置于第三分布圆上，第七组共9对硅芯设置于第四分布圆上，第八组共9对硅芯，其中6对硅芯设置于第五分布圆上，另外3对硅芯设置于第六分布圆上。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于硅芯重新分相的72对棒多晶硅还原炉，其特征在于，包括72对硅芯，所述72对硅芯设置为8组，每组中的硅芯串联连接；所述8组硅芯在还原炉底盘上按同心圆布置形成6个分布圆，最外层为第一分布圆，向内依次递增；第一组共10对硅芯和第二组共11对硅芯设置于第一分布圆上，第三组共13对硅芯和第四组共5对硅芯设置于第二分布圆上，第五组共10对硅芯和第六组共5对硅芯设置于第三分布圆上，第七组共9对硅芯设置于第四分布圆上，第八组共9对硅芯，其中6对硅芯设置于第五分布圆上，另外3对硅芯设置于第六分布圆上。

【专利技术属性】
技术研发人员：黄勇，简凤麟，赵小飞，贾彦定，朱攀峰，柴璐斌，
申请(专利权)人：新疆东方希望新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：新疆;65