多晶硅棒的制造方法以及反应炉技术

开发一种如下的方法：在通过西门子法进行的多晶硅棒的制造中，更大幅地改善来自气体供给喷嘴的硅沉积用原料气体的喷出量，由此使气流的流势增强，以在钟罩内的上部与下部的原料气体的循环性优异的状态实施所述制造。作为多晶硅棒制造用反应炉，作为气体供给喷嘴的至少一个，使用具备供给至喷嘴的硅沉积用原料气体流量增加并吹出的作用的流量放大喷嘴，进行所述多晶硅棒的制造。

Manufacturing method of polysilicon rod and reaction furnace

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多晶硅棒的制造方法以及反应炉
本专利技术涉及一种多晶硅棒的制造方法，详细而言，涉及一种通过化学气相沉积法使多晶硅沉积在设于反应炉内的硅芯材上的多晶硅棒的制造方法，以及用于实施该制造方法的反应炉。
技术介绍
以往，已知制造被用作半导体或太阳光发电用晶圆的原料的硅的各种方法，其中的几种已经在工业上实施。例如其一是被称为西门子(Siemens)法的方法，其为：在反应炉的内部设置硅芯线，通过通电将硅芯线加热至硅的沉积温度，在该状态下，向反应室内供给包含三氯硅烷(SiHCl3)、甲硅烷(SiH4)等硅烷化合物和还原气体的硅沉积用原料气体，通过化学气相沉积法使硅沉积在硅芯线上。该方法的特征在于以棒的形态得到高纯度多晶硅，作为最一般的方法来实施。为了在工业上实施该西门子法，上述反应炉一般采用图6所示的构造。即，反应炉1使用如下构造：利用钟罩2和底板3将内部密闭，在所述底板3设有用于保持多条硅芯线4并且对该硅芯线4通电的电极对5。进而，采用如下构造：在所述底板3以顶端喷射口朝上的方式分别设有多个气体供给喷嘴6，用于向钟罩2的内部空间供给硅沉积用原料气体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅棒的制造方法，其特征在于，/n使用如下构造的反应炉：利用钟罩和底板将内部密闭，在所述底板设有用于保持多条硅芯线并且对所述硅芯线通电的电极对，进而，在所述底板以顶端喷射口朝上的方式分别设有用于向所述钟罩的内部空间供给硅沉积用原料气体的多个气体供给喷嘴，/n一边对所述硅芯线通电一边使硅沉积用原料气体从所述气体供给喷嘴喷出，由此使多晶硅沉积在所述硅芯线，/n作为所述气体供给喷嘴的至少一个，使用流量放大喷嘴，其具有通过被供给至喷嘴的硅沉积用原料气体与被导入喷嘴内的钟罩内气氛混合而被增量并吹出的作用。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180405 JP 2018-0732581.一种多晶硅棒的制造方法，其特征在于，
使用如下构造的反应炉：利用钟罩和底板将内部密闭，在所述底板设有用于保持多条硅芯线并且对所述硅芯线通电的电极对，进而，在所述底板以顶端喷射口朝上的方式分别设有用于向所述钟罩的内部空间供给硅沉积用原料气体的多个气体供给喷嘴，
一边对所述硅芯线通电一边使硅沉积用原料气体从所述气体供给喷嘴喷出，由此使多晶硅沉积在所述硅芯线，
作为所述气体供给喷嘴的至少一个，使用流量放大喷嘴，其具有通过被供给至喷嘴的硅沉积用原料气体与被导入喷嘴内的钟罩内气氛混合而被增量并吹出的作用。


2.根据权利要求1所述的多晶硅棒的制造方法，其中，
所述流量放大喷嘴在喷嘴周壁设有开口部，具有：所述原料气体在喷嘴内的硅沉积用原料气体流通路朝向顶端喷出口流动时，从所述周壁开口部将喷嘴周围的气氛吸入至所述硅沉积用原料气体流通路的作...

【专利技术属性】
技术研发人员：立川敬史，相本恭正，
申请(专利权)人：株式会社德山，
类型：发明
国别省市：日本;JP