一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法和由此得到的球形二氧化硅粉体填料及其应用技术

本发明专利技术涉及一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法，包括如下步骤：有机硅化合物水解缩合得到聚硅氧烷沉淀，其中，该有机硅化合物包括化学式为(R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法和由此得到的球形二氧化硅粉体填料及其应用
本专利技术涉及半导体的封装，更具体地涉及一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法和由此得到的球形二氧化硅粉体填料及其应用。
技术介绍
在半导体后端工序的封装工艺中，需要用到塑封料、贴片胶、底灌料和芯片载板等封装材料。此外，将被动元件、半导体元件、电声器件、显示器件、光学器件和射频器件等组装成设备时还须使用(高密度互连板，highdensityinerconnect，HDI)、高频高速板和母板等电路板。这些封装材料和电路板一般主要由环氧树脂，芳香族聚醚，氟树脂等有机高分子和填料所构成，其中的填料主要是角形或球形二氧化硅，其主要功能是降低有机高分子的热膨胀系数。为了减低填料黏度并提高填充率，现有的填料选用球形二氧化硅进行紧密充填级配。随着微电子工业的迅猛发展，大规模或超大规模集成电路及高端覆铜板等对填料的要求也越来越高，例如要求填料具有低放射性。目前，低放射性熔融球形二氧化硅是精选天然石英矿石，酸洗提纯制砂后粉碎熔融球形化制成，所以其纯度很大程度依靠天然矿物本身的纯度，无法满足低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1，有机硅化合物水解缩合得到聚硅氧烷沉淀，其中，该有机硅化合物包括化学式为(R

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，有机硅化合物水解缩合得到聚硅氧烷沉淀，其中，该有机硅化合物包括化学式为(R
1)
a(R
2)
b(R
3)
cSi(X)
d的硅烷，R
1，R
2，R
3为可独立选择的碳原子1至18的烃基或氢原子；X为可水解缩合的官能基；a，b，c为0、1、2或3；d为1、2、3或4；a+b+c+d＝4；

S2，将聚硅氧烷沉淀粉碎后干燥得到硅氧烷角形粉体；
S3，将硅氧烷角形粉体熔融球化形成球形二氧化硅粉体填料。


根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，有机硅化合物还可包括铀含量不超过1ppb的二氧化硅。


根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，聚硅氧烷沉淀用高速剪切机粉碎得到聚硅氧烷粉体浆料，过滤该聚硅氧烷粉体浆料并用去离子水洗至中性后干燥得到硅氧烷角形粉体。


根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，硅氧烷角形粉体在排胶后再进行熔融球化。

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈树真，李锐，
申请(专利权)人：浙江三时纪新材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33