氧化硅粉末的制造方法及负极材料技术

[课题]本发明专利技术制造一种含有Li，且尽管表面上具有C涂覆膜，但在粒子内和粒子间均具有均匀的Li浓度分布，并且抑制了SiC的生成的氧化硅类的负极材料。[解决方法]通过对包含Si、Li和O且其中Si的一部分作为Si单质而存在、Li作为硅酸锂而存在的含有Si和硅酸锂的原料进行减压加热，从而使SiO气体与Li气体同时产生。通过冷却产生的气体，从而制作一种平均组成为SiLi

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化硅粉末的制造方法及负极材料
本专利技术涉及一种Li离子二次电池的负极材料，特别涉及作为负极活性物质使用的氧化硅粉末，更详细而言涉及在粒子内部包含Li且在粒子表面包覆有碳的C涂覆含Li氧化硅粉末的制造方法、以及使用该氧化硅粉末的负极材料。
技术介绍
已知氧化硅(SiOx)是电容大、寿命特性优异的Li离子二次电池用负极材料(负极活性物质)。该氧化硅类的负极材料是将氧化硅粉末、导电助剂及粘合剂混合而成浆料化的物质，涂在由铜箔等构成的集电体上而形成薄膜状的负极。这里的氧化硅粉末例如是通过使加热二氧化硅与硅的混合物而生成的一氧化硅气体析出之后，将析出物细粉碎而获得的。已知通过这样的析出法制造的氧化硅粉末包含很多非晶部分，由于在充放电时Li离子均匀扩散，因此提高循环耐久性。这种氧化硅类负极材料的特征性问题在于初始效率低。这是通过在初次充电时生成对充放电没有贡献的不可逆容量的Li化合物，使得初次放电容量显著减少的现象，作为消除该现象的方法，已知有使氧化硅粉末的粒子内部含有Li的Li掺杂。另外，除了Li掺杂之外，还已知为了对氧化硅粉末赋予导电性而在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化硅粉末的制造方法，其中，/n通过对包含Si、Li和O的原料进行减压加热，使SiO气体与Li气体同时产生，/n通过将产生的气体进行冷却，制作平均组成由SiLi

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180330 JP 2018-0673111.一种氧化硅粉末的制造方法，其中，
通过对包含Si、Li和O的原料进行减压加热，使SiO气体与Li气体同时产生，
通过将产生的气体进行冷却，制作平均组成由SiLixOy表示且满足0.05<x<y和0.5<y<1.5的含Li氧化硅，
在粒度调整后以900℃以下的处理温度，在粒子表面形成平均膜厚0.5～10nm的C涂覆膜。


2.根据权利要求1所述的氧化硅粉末的制造方法，其中，所述包含Si、Li和O的原料是该原料中Si的一部分作为Si单质而存在、Li作为硅酸锂而存在的含有Si和硅酸锂的原料。


3.根据权利要求1或2所述的氧化硅粉末的制造方法，其特征在于，所述处理温度为700℃以下。
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【专利技术属性】
技术研发人员：柏谷悠介，
申请(专利权)人：株式会社大阪钛技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP