多晶硅棒的制造方法技术

发明专利技术涉及的多晶硅棒的制造方法，采用西门子法来制造多晶硅棒，其特征在于，包括：沉积后通电工序，其在多晶硅的沉积工序结束后，以趋肤深度D比所述沉积工序结束时的趋肤深度D

【技术实现步骤摘要】
多晶硅棒的制造方法
本专利技术涉及一种多晶硅棒的制造方法，其利用西门子法培养多晶硅棒，所培育出的多晶硅棒特别适合作为通过浮区法(FZ法)制造的单晶硅的原料。另外，本专利技术以2019年6月17日提交申请的日本专利(特願2019-111794)为优先权文件，并在参照其全部内容的基础上援引至本说明书中。
技术介绍
多晶硅是一种用于制造半导体的单晶硅和用于制造太阳能电池的硅原料。作为多晶硅的制造方法，西门子法是一种已知的技术。西门子法一般是通过使基于硅烷基的原料气与加热后的硅芯线接触，从而利用CVD(化学气相沉积)法将多晶硅沉积在硅芯线的表面上。西门子法是将硅芯线组装成具有在垂直方向具有2条、在水平方向上具有1条的倒U形硅芯线，并将芯线的两端部分别连接到芯线夹(Holder)，再将它们固定到设置在基板上的一对金属电极上。通常，在反应炉中，会布置多组倒U形硅芯线。在通过通电将倒U形硅芯线加热至沉积温度，并使例如三氯硅烷和氢的混合气体与作为原料气体的硅芯线接触后，多晶硅就会气相沉积在硅芯线上，最终使具有期望直径的多晶硅棒形成为倒U本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅棒的制造方法，采用西门子法来制造多晶硅棒，其特征在于，包括：/n沉积后通电工序，其在多晶硅的沉积工序结束后，以趋肤深度D比所述沉积工序结束时的趋肤深度D

【技术特征摘要】
20190617 JP 2019-1117941.一种多晶硅棒的制造方法，采用西门子法来制造多晶硅棒，其特征在于，包括：
沉积后通电工序，其在多晶硅的沉积工序结束后，以趋肤深度D比所述沉积工序结束时的趋肤深度D0更浅为条件来进行通电。


2.根据权利要求1所述的多晶硅棒的制造方法，其特征在于：
其中，在所述沉积后通电工序中通电的电流的频率f高于所述沉积工序结束时通电的电流的频率f0。


3.根据权利要求2所述的多晶硅棒的制造方法，其特征在于：
其中，所述沉积后通电工序作为在所述沉积工序结束后所述多晶硅棒冷却至室温期间的工序而被设...

【专利技术属性】
技术研发人员：星野成大，石田昌彦，冈田哲郎，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP