一种新型碳化硅纵向扩散金属氧化物半导体晶体管制造技术

本新型涉及一种新型碳化硅纵向扩散MOSFET，包括具有第二导电类型的碳化硅衬底；具有第二导电类型的漂移区，设置于衬底上，其中漂移区具有掺杂浓度于纵向方向上呈梯度分布；一个或一个以上的接触设置于漂移区的表面，每一个接触是利用离子注入的方式形成且包含第一导电类型阱区以及第二导电类型源极，接触之间的距离可以定义出MOSFET的沟道大小；栅极氧化层形成于漂移区与衬底相反方向的表面上并沿横向延伸跨越源极之间并覆盖部分个别源极；所述个别源极接触形成于漂移区与碳化硅衬底相反方向的表面上并覆盖每个所述接触中的个别第二导电类型源极与第一导电类型阱区；及一个漏极接触形成于衬底与第二导电类型漂移区相反方向的表面上。

【技术实现步骤摘要】
一种新型碳化硅纵向扩散金属氧化物半导体晶体管
本技术涉及一种碳化硅功率半导体器件，特别是一种新型碳化硅纵向扩散金属氧化物半导体晶体管(VDMOS)。
技术介绍
碳化硅(SiC)材料具备宽能隙、高导热度、低膨胀系数等特征，作为具有补充硅所不足的物性的半导体材料，可以应用于高频率、高电力、高功率装置上。与其他宽能隙半导体材料，例如氮化镓(GaN)，相比，碳化硅(SiC)材料可以利用热氧化方式直接生成二氧化硅(SiO2)，这项优点使SiC成为制作大功率MOSFET器件的理想材料。功率晶体管器件通常应用于传输大电流以及支撑高电压，功率MOSFET器件因为其工艺与今日VLSI集成电路的工艺兼容，其广泛的应用于现代电力电子器件。具有纵向结构的功率MOSFET，与横向结构的功率MOSFET相比具有较高的单位面积元件密度，其一个源极接触与栅极接触位于功率MOSFET的第一表面并由一个形成于衬底上的漂移区与一个漏极接触分开。通常纵向结构的功率MOSFET又称为纵向扩散MOSFET，由于其纵向结构因此该功率MOSFET的额定电压与漂移区的厚度以及掺杂有关。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型碳化硅纵向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：具有第二导电类型的碳化硅衬底；具有第二导电类型的漂移区，设置于该碳化硅衬底上，其中该第二导电类型的漂移区的掺杂浓度于纵向方向上呈梯度分布；一个或一个以上的接触设置于该漂移区的表面，每一个接触是利用离子注入的方式形成且包含第一导电类型阱区以及第二导电类型源极，所述接触之间的距离可以定义出该金属氧化物半导体晶体管的沟道大小；栅极氧化层形成于该漂移区与该碳化硅衬底相反方向的表面上并沿横向延伸跨越该源极之间并覆盖个别源极；所述个别源极接触形成于该漂移区与该碳化硅衬底相反方向的表面上并覆盖每个所述接触中的个别第二导电类型源极与...

【技术特征摘要】
1.一种新型碳化硅纵向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：具有第二导电类型的碳化硅衬底；具有第二导电类型的漂移区，设置于该碳化硅衬底上，其中该第二导电类型的漂移区的掺杂浓度于纵向方向上呈梯度分布；一个或一个以上的接触设置于该漂移区的表面，每一个接触是利用离子注入的方式形成且包含第一导电类型阱区以及第二导电类型源极，所述接触之间的距离可以定义出该金属氧化物半导体晶体管的沟道大小；栅极氧化层形成于该漂移区与该碳化硅衬底相反方向的表面上并沿横向延伸跨越该源极之间并覆盖个别源极；所述个别源极接触形成于该漂移区与该碳化硅衬底相反方向的表面上并覆盖每个所述接触中的个别第二导电类型源极与第一导电类型阱区；一个漏极接触形成于该碳化硅衬底与该第二导电类型漂移区相反方向的表面上。


2.根据权利要求1所述新型碳化硅纵向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。


3.根据权利要求1所述新型碳化硅纵向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，形成所...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴茂州，高巍，廖运健，顾航，
申请(专利权)人：成都蓉矽半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51