一种新型横向双扩散碳化硅场效应晶体管制造技术

本新型提出了一种横向双扩散碳化硅场效应晶体管，其包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底；具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的漂移区，设置于衬底上；具有第二导电类型的漏极区设置于漂移区表面上的一侧、第一导电类型第一阱区设置于漂移区表面的另一侧；具有第一导电类型的接触区以及与其相邻且隔开的第二导电类型的源极区，设置于第一阱区；第二导电类型的场重分布层形成于漂移区表面；栅极氧化层设置于第一阱区上并部分重叠位于第一阱区内的源极区以及漂移区；场氧化层设置于漂移区表面上未被该栅极氧化层所覆盖的部分，并覆盖部分漏极区的表面；多个接触电极分别与漏极区、源极区、以及栅极接触。

【技术实现步骤摘要】
一种新型横向双扩散碳化硅场效应晶体管
本新型涉及一种碳化硅场效应晶体管，具体涉及到一种新型横向双扩散碳化硅场效应晶体管。
技术介绍
传统上Si功率电子器件中以高压横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)为主流应用。因其良好的半导体制程兼容性，容易透过内部连线将分布在表面的源极、栅极以及漏极与低压逻辑电路做集成，被广泛应用在高压功率集成电路中。图1显示传统Si-LDMOSFET器件示意图，其包括半导体衬底101、漂移区103、漏极区105、基区107，其中基区107具有源极区109和体接触区107a，漏极金属105a、源极金属109a、栅极氧化层111、栅极111a、以及场氧化层113所组成。功率半导体于应用上需要具有高源-漏击穿电压(source-to-drainbreakdownvoltage)、低导通电阻、以及低储存栅极电荷(storedgatecharge)。上述高源-漏击穿电压与低导通电阻之间存在一取舍关系，优化这一个取舍关系是LDMOSFET器件的设计上一大挑战。由于LDMOSFET器件已经广泛应用于功率电子领域，例如功率切本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型横向双扩散碳化硅场效应晶体管，其特征在于，其包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底；具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的漂移区，设置于该碳化硅衬底上；具有第二导电类型的漏极区设置于该漂移区表面上的一侧；具有第一导电类型第一阱区设置于该漂移区表面上的另一侧；具有第一导电类型的接触区以及一与其相邻且隔开的具有第二导电类型的源极区，设置于该第一阱区；具有第二导电类型的埋层形成于该漂移区表面上位于该漏极区与该第一阱区之间；栅极氧化层设置于该第一阱区上并部分重叠位于该第一阱区内的该源极区以及该漂移区；场氧化层设置于该漂移区表面上未被该栅极氧化层所覆盖的部分，并覆盖部分漏极区的表面；多个接...

【技术特征摘要】
1.一种新型横向双扩散碳化硅场效应晶体管，其特征在于，其包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底；具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的漂移区，设置于该碳化硅衬底上；具有第二导电类型的漏极区设置于该漂移区表面上的一侧；具有第一导电类型第一阱区设置于该漂移区表面上的另一侧；具有第一导电类型的接触区以及一与其相邻且隔开的具有第二导电类型的源极区，设置于该第一阱区；具有第二导电类型的埋层形成于该漂移区表面上位于该漏极区与该第一阱区之间；栅极氧化层设置于该第一阱区上并部分重叠位于该第一阱区内的该源极区以及该漂移区；场氧化层设置于该漂移区表面上未被该栅极氧化层所覆盖的部分，并覆盖部分漏极区的表面；多个接触电极分别与该漏极区、该源极区、以及该栅极接触。


2.根据权利要求1所述新型横向双扩散碳化硅场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。


3.根据权利要求2所述新型横向双扩散碳化硅场效应晶体管，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴茂州，高巍，廖运健，顾航，
申请(专利权)人：成都蓉矽半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51