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本新型提出了一种横向双扩散碳化硅场效应晶体管，其包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底；具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的漂移区，设置于衬底上；具有第二导电类型的漏极区设置于漂移区表面上的一侧、第一导电类型第一阱区设置于漂移区表面的另...
该专利属于成都蓉矽半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都蓉矽半导体有限公司授权不得商用。

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